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晶體管是控制電路中電流流動的電子設備。絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種高效、快速切換的三端功率半導體器件，主要用作放大器和開關。晶體管陣列是一種產品，其中使用高壓/大電流晶體管和DMOS FET的多個驅動電路排列在一個IC封裝中。分立半導體產品提供在線銷售的IGBT陣列。Littelfuse IGBT H Bridge 1700V的最低訂購量為1，而Littelfuses IGBT H Bridge 1200V的最低訂購數量為20。PNEDA還提供晶體管-IGBT-陣列的數據表、庫存和價格。
延伸閱讀
資訊
請問一下IGBT是如何實現電路控制的？(2024-06-14)
請問一下IGBT是如何實現電路控制的？;絕緣柵雙極晶體管（英語：Insulated Gate Bipolar Transistor,?IGBT），是半導體器件的一種，主要用于新能源電動汽車、及電......
基礎知識之IGBT(2024-03-22)
基礎知識之IGBT;什么是(絕緣柵雙極晶體管)？
是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 被歸類為元器件晶體管領域。本文......
新能源汽車解析丨什么是IGBT？結構與拆解(2023-10-08)
新能源汽車解析丨什么是IGBT？結構與拆解;IGBT?（絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導體器件，廣泛應用于軌道交通、智能電網、工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。具有節能、安裝方便、維護......
今年功率晶體管銷售額可望達到245億美元，增長11%(2022-10-12)
（IGBT）。
在2019年下半年進口IGBT就出現缺貨現象，MOSFET也在2020年初伴隨著新冠肺炎暴發進入缺貨周期。
自2021年以來，功率晶體管的價格一路走高，國內......
重慶萬國造出自研自產 IGBT 元件，預計今年內實現量產(2022-08-12)
并自行完成晶圓制造與封裝測試的 IGBT 元件。目前該 IGBT 元件通過用戶試用，預計今年年內實現量產。?(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor，即絕緣柵雙極型晶體管）
?
據悉，重慶......
如何用萬用表測試MOSFET(2024-04-03)
如何用萬用表測試MOSFET;介紹：
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設備中開關和放大電子信號的半導體器件。
MOSFET 是一種四端子器件，具有......
功率半導體市場放緩，報告稱中國大陸企業轉向 12 英寸晶圓和 IGBT 晶體管(2023-11-28)
功率半導體市場放緩，報告稱中國大陸企業轉向 12 英寸晶圓和 IGBT 晶體管;11 月 28 日消息，根據集邦咨詢發布的最新報告，在功率半導體市場減速的大背景下，中國大陸企業在 12 英寸......
意法半導體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效(2023-09-11)
意法半導體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效;STPOWER IH2面向工業和電磁加熱應用
2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管......
吉利科技旗下晶能微電子自研首款車規級 IGBT 產品成功流片(2023-03-16)
傳動等領域。
IGBT 是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管......
中科院上海微系統所在Nature Electronics報道晶圓級范德華接觸陣列研究重要進展(2022-05-26)
測到理論預測下的肖特基勢壘高度調控行為。進一步，通過選擇功函數匹配的金屬電極，成功制備出低接觸電阻的MoS2晶體管器件陣列。MoS2晶體管器件陣列具有良好的性能一致性，開關比超過106。?
隨著......
3.3V和1.8V電平轉換——電平轉換芯片(2024-11-21 14:19:56)
進行電平轉換，優點是速率可以做快一些。
1.1、TVC原理
這些TVC器件可用于晶體管陣列轉換。器件
不需......
下一代電動汽車充電的熱管理技術(2024-08-22)
充電器可以輕松集成更多元器件，從而提高電流吞吐量和工作電壓。這些充電器利用尖端的半導體器件、濾波器和功率電阻器來進行電源整流，所有這些過程都會產生大量的熱量。雖然濾波器和電阻器是不可忽視的熱量來源，但電動汽車充電系統中最大的熱量來源則是絕緣柵雙極晶體管......
Ameya360：平面MOSFET與超級結MOSFET區別(2023-03-13)
-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來的幾篇將談相關的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上，根據其特征和特性對使用區分有個初步印象。
下圖表示處理各功率晶體管......
變頻器的30個基礎知識（一）(2024-04-03)
逆變器部分的存在是 VFD 和直流驅動器之間的主要區別。
4.什么是變頻器中的 IGBT？
隔離柵雙極晶體管 (IGBT) 是電子驅動非常快的半導體開關。通過在 IGBT 的柵......
變頻器的30個基礎知識（之一）(2024-03-28)
器本身有時被稱為逆變器，因為逆變器部分的存在是 VFD 和直流驅動器之間的主要區別。
4.什么是變頻器中的 IGBT？
隔離柵雙極晶體管 (IGBT) 是電子驅動非常快的半導體開關。通過在 IGBT 的柵......
儲能系統的關鍵零部件——IGBT介紹(2024-10-08 17:04:04)
合計構成電化學儲能系統成本的80%，其中儲能逆變器占到20%。
IGBT絕緣柵雙極型晶體管為儲能逆變器的上游原材料，IGBT的性能決定了儲能逆變器的性能，占逆變器價值量的20%-30......
汽車級大功率IGBT現狀及未來趨勢研究 ?(2024-07-14)
高壓系統中主要以大功率 IGBT 模塊方案為主。
2. IGBT 工作原理
IGBT 芯片的內部結構結合了 MOSFET 的驅動優勢及 BJT（雙極性晶體管）的導通優勢（如圖 3 所示）。
圖 3......
廠商談IGBT大缺貨：根本買不到！(2023-03-20)
廠商談IGBT大缺貨：根本買不到！;
【導讀】半導體景氣下行，晶片業普遍面臨客戶砍單與報價修正壓力之際，有「電力電子中央處理器（CPU）」之譽的絕緣閘極雙極性晶體管（IGBT）在電......
北京大學公開存儲器專利(2024-03-11)
北京大學公開存儲器專利;存儲器是電子信息處理系統中不可或缺的組成部分。在過去，依靠CMOS工藝的不斷進步，存儲器的性能得以不斷提高。
但近年來，一方面，尺寸微縮導致的晶體管......
意法半導體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效(2023-09-11)
意法半導體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效;
【導讀】意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管......
意法半導體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效(2023-09-12 10:03)
意法半導體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效;STPOWER IH2面向工業和電磁加熱應用意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管......
三菱電機開始提供S1系列HVIGBT模塊樣品(2025-01-02)
款模塊額定電壓均為1.7kV，適用于鐵路車輛和直流輸電等大型工業設備。得益于三菱電機專有的絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片和絕緣結構，新模塊實現了出色的可靠性、低功率損耗和低熱阻，有望......
意法半導體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效(2023-09-11)
意法半導體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效;新系列 將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變......
如何優化隔離柵級驅動電路?(2022-12-09)
，開關延遲比多級PNP晶體管小。圖7是FOD3120的壓降曲線。
圖7? 輸出高壓降與TA?
門驅動 CMTI(或噪聲抑制)性能
光隔離MOSFET和IGBT驅動......
3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構(2023-08-07)
是我們對架構的設想，涉及六個方面：?
l? 微縮問題
l? 堆疊挑戰
l? 面積縮小
l? 創新連接
l? 通孔陣列
l? 工藝要求
?
微縮問題
?
DRAM單元電路由一個晶體管......
一文解析MOS管/三極管/IGBT之間的關系(2024-11-09 00:48:11)
區的電子為PNP晶體管的n區持續提供電子，這就保證了PNP晶體管的基極電流。我們給它外加正向偏壓VCE，使PNP正向導通，IGBT器件正常工作。
這就......
變頻器和IGBT的基礎知識(2024-05-30)
關頻率則受器件開關時間的限制。采用絕緣雙極型晶體管IGBT時，開關頻率可達10kHz以上，輸出波形已經非常逼近正弦波，因而又稱為SPWM逆變器，成為當前最有發展前途的一種裝置形式。
電壓型變頻器結構框圖：
電壓......
深耕半導體產業30年！深愛半導體厚積薄發(2021-04-11)
、肖特基二極管(SBD)、LED驅動IC、IGBT、PD （Photo? Diode）等產品和技術。
據了解，深愛半導體成立于1988年2月，現有一條5英寸雙極功率晶體管芯片生產線，一條......
新增SiC和IGBT模型,羅姆官網可提供超過3,500種LTspice模型(2023-10-12)
物－半導體場效應晶體管，是FET中最常用的結構。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）
同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低導通損耗特性的功率晶體管......
新增SiC和IGBT模型，羅姆官網可提供超過3,500種LTspice?模型(2023-10-12)
常用的結構。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）
同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低導通損耗特性的功率晶體管......
什么叫IGBT? IGBT的結構、工作原理與應用領域有哪些？(2025-01-14 07:05:07)
什么叫IGBT? IGBT的結構、工作原理與應用領域有哪些？;
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），全稱絕緣柵雙極型晶體管，是一......
新增SiC和IGBT模型，羅姆官網可提供超過3,500種LTspice?模型(2023-10-12)
，是FET中最常用的結構。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）
同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低導通損耗特性的功率晶體管......
IR宣布擴充節能的600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列(2014-05-15)
IR宣布擴充節能的600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列;IR宣布擴充節能的600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，并提供多種封裝選擇。堅固可靠的全新IRxx46xx 器件......
具有集成反激式控制器的智能柵極驅動光耦合器(2023-02-20)
供電柵極驅動光電耦合器用于提供高壓增強電流絕緣并提供高輸出電流以切換電機驅動器或逆變器中的 IGBT。電壓比較器和晶體管開關等分立元件用于在短路故障期間保護昂貴的 IGBT，而數字光耦合器用于提供隔離反饋。Avago Technologies 已將......
雙面散熱汽車IGBT器件熱測試評估方式創新(2023-03-06)
雙面散熱汽車IGBT器件熱測試評估方式創新;IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction......
發力汽車領域，瑞薩收購4D雷達公司并擴產IGBT(2022-09-01)
發力汽車領域，瑞薩收購4D雷達公司并擴產IGBT;瑞薩電子近日發力汽車領域，先后宣布收購了4D雷達公司印度Steradian，并推出新一代Si-IGBT（硅基絕緣柵雙極晶體管）器件。
收購......
電動汽車及太陽能電廠需求旺盛，IGBT供不應求(2023-03-20)
電動汽車及太陽能電廠需求旺盛，IGBT供不應求;
【導讀】據中國臺灣媒體報道，在半導體市場需求下滑之際，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）依然是大缺貨，并且......
IGBT在新能源汽車上的應用(2024-10-22 08:01:16)
是信號鏈類的通信芯片。
IGBT全稱為
絕緣柵雙極型晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor......
Nexperia推出新款600 V單管IGBT，可在電源應用中實現出色效率(2023-07-05)
半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布，將憑借600 V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進軍市場的第一炮。Nexperia在其......
ADUM4137數據手冊和產品信息(2024-11-11 09:20:41)
ADUM4137數據手冊和產品信息;ADuM41371ADuM4138 是一款已專門針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅動進行優化的單通道柵極驅動器。ADI 公司的 iCoupler? 技術......
NXP GateDriver GD3160 簡介(2024-04-30)
轉換成大電流柵極驅動信號，從而驅動?IGBT?以及 SiC 等大功率晶體管，進一步帶動牽引電機運轉。
二、Gate Driver 介紹
Gate Driver，柵極驅動器，作為主控 MCU 以及晶體管之間的橋梁，首要......
DRAM工藝如何微縮？應用材料推出材料工程解決方案(2021-05-08)
電容器、互連布線和邏輯晶體管。這些解決方案現已投入大規模量產，預計未來幾年將為應用材料公司的DRAM業務帶來顯著營收增長。
推出應用于電容器微縮的Draco?硬掩模
在DRAM芯片中，超過55%的晶粒面積被存儲陣列......
新能源車SiC-MOSFET發展分析(2023-06-19)
進行開關。
功率組件是一種只用于電力轉換和控制的電子組件，分為二極管（整流和保護電路）、晶體管（負責開關）與閘流體（電路驅動）。其中晶體管......
IGBT背后的男人，徹底改變了新能源汽車，獲巨額獎金(2024-09-12)
IGBT背后的男人，徹底改變了新能源汽車，獲巨額獎金;美國北卡羅來納州立大學名譽教授 Bantval Jayant Baliga 因其在絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)的發明、開發......
Diodes公司的雙極晶體管采用 3．3mm x 3．3mm 封裝并提供更高的功率密度(2019-03-12)
用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小，可在閘極驅動功率 MOSFET 與 IGBT、線性 DC-DC 降壓穩壓器、PNP LDO 及負載開關電路，提供......
中科院化學所在印刷制備單一取向有機半導體單晶陣列方面取得進展(2022-04-06)
取向有機半導體單晶圖案的直寫打印新方法
圖2.利用單一取向晶體薄膜陣列實現了有機場效應晶體管及偏振光電探測器的陣列化制備
原標題：化學所在印刷制備單一取向有機半導體單晶陣列方面取得進展
封面圖片來源：拍信網......
IGBT驅動電路介紹(2024-02-29)
IGBT驅動電路介紹;，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有......
聊聊IGBT功率模塊的結溫計算及其模型(2023-09-12)
與周圍環境溫度的差值越小。采用熱等效回路模型來描述功率模塊器件的熱行為，如下圖1：
2. 功率模塊IGBT結溫計算
電機控制器功率模塊的結溫取決于IGBT晶體管和續流二極管的損耗，因此，根據......
ADALM2000實驗：CMOS邏輯電路、D型鎖存?器(2023-06-09)
使用ADALP2000模擬部件套件中的CD4007 CMOS陣列和分立式NMOS和PMOS晶體管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3對互補MOSFET組成，如圖1所示。每對......
如何增強工業電機控制性能？這有兩款隔離解決方案(2023-03-24)
母線電壓在300 V至1000 V范圍內。采用脈寬調制(PWM)方案，以5 kHz至10 kHz的典型頻率切換功率晶體管T1至T6，從而在電機端子上產生可變電壓、可變頻率的三相正弦交流電壓。
圖3. 電機......
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;szwtron;;分布式組件、集成電路、電子組件、被動組件等。主動組件：小信號晶體管、功率晶體管、場效應晶體管、IGBT、線性IC、邏輯處理IC、LCD驅動IC、、MP3IC、DVDIC、工業
晶體管、GRT、IGBT模塊及電子產品殼主件，同時代銷南京丹元電器廠、石無二廠、南昌七四六廠等器件廠產品。
;斯裕自動化有限公司;;斯裕自動化主要從事自動化產品銷售，大量庫存現貨供應，IGBT、芯片、晶體管、繼電器等西門子產品
;深圳四達通供應鏈有限公司;;本公司主營集成電路，晶體管，TVS，IGBT等電子元器件貿易，主要產線infineon?/NXP/?TI/microchip/ON等，保證所掛實物，原廠原裝，假一
等行業中 LRC晶體管：SOT-23，插件小功率晶體管，TVS管！
;深圳市科城電子有限公司;;本公司主要產品有IR 仙童 ST 富士通 英飛凌 東芝 飛利浦 POWER 場效應 IGBT 功率管 肖特基 快恢復 三端穩壓管 可控硅 模塊 等系列晶體管 貨源
我國功率半導體器件行業大型重點骨干企業和軍用元器件研制生產的西安衛光電工廠（國營第八七七廠）合作，主要研制、生產低頻大功率晶體管、高頻中小功率晶體管、玻封二極管、硅堆硅橋、達林頓管、VDMOS、IGBT、可控硅、三端穩壓器；GTR、IGBT、MOS模塊
國功率半導體器件行業大型重點骨干企業和軍用元器件研制生產的西安衛光電工廠（國營第八七七廠）合作，主要研制、生產低頻大功率晶體管、高頻中小功率晶體管、玻封二極管、硅堆硅橋、達林頓管、VDMOS、IGBT、可控硅、三端
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、整流器、穩壓二三極管、IGBT管、快恢復及超快恢復、貼片電容電阻、貼片鉭電容等產品的經銷批發的私營獨資企業。上海飛遁電子科技有限公司經營的集成電路、三極管、場效應管、可控硅、肖特基、達林頓晶體管