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為了計算IGBT的總功率損耗，導通、導通和關斷損耗之和必須乘以開關頻率。關斷狀態損耗可忽略不計，無需計算。IGBT損耗必須使用電阻負載或在負載消耗功率的部分周期內測量。為了計算靜態功率損耗，將Vce（sat）乘以Ic乘以占空比。要計算開關損耗，請將Ets乘以開關頻率。例如，如果您有一個期望開關頻率為2 Hz、占空比為2%的IGBT，則可以按如下方式計算其總功耗：靜態功率損耗=Vce（sat）*Ic*占空比=2.1*130*0.02=5.46 W；開關損耗=Ets*開關頻率=3.2e-3*2=0.0064 W；總功率損耗=靜態功率損耗+開關損耗=5.46+0.0064=5.4664 W。IGBT耗散的平均傳導損耗由（）=1給出。
延伸閱讀
資訊
新能源汽車電機控制器技術及趨勢(2024-02-09)
在于直接采集晶元結溫，高低壓的安規問題。
模塊6路結溫采樣，模塊及外部電路成本增高，目前采用1各IGBT結的溫度，單路二極管的溫度，通過損耗計算，熱流參數計算，推導出其他幾路IGBT的溫度。
采用......
如何手動計算IGBT的損耗(2023-02-07)
如何手動計算IGBT的損耗;現今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成，節省了不少精力，不得不說這對工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學......
Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對比研究*(2023-01-28)
功率電能變換領域，SiC 模塊替代IGBT 模塊成為了可能，因此對SiC 與IGBT 模塊開展的對比研究很有現實意義。
針對SiC 模塊的應用研究，目前主要集中在動態性能、功率損耗計算......
一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算(2023-02-20)
考慮從峰值到過零的變化，以得出器件的平均功耗。
IGBT 和二極管功耗計算
測量完這五個損耗分量后，需要將它們與測量條件相關聯，以便計算每個芯片的總功耗。
圖 7. 感性負載波形
圖 7......
光伏逆變器系統設計從系統目標到解決方案，一次性講透(2024-06-07)
QRR = 224nC
● 最新的屏蔽柵極架構
● 低 QG 以最小化驅動損耗
應用
● 隔離式 DC-DC 轉換器中的初級開關
● 電機驅動
功率 MOSFET， 150V， PQFN-8 封裝......
全球首批RDS（on）低于10mΩ的碳化硅FET發布(2019-12-10)
，可以提高所驅動電機的效率。如果將逆變器設計為具有濾波功能的輸出，較高的運行頻率將允許使用較小的濾波器。
這些器件還能夠很好地并聯使用，以處理非常大的電流。經過嚴格的損耗計算表明，使用......
UnitedSiC發布首批RDS（on）低于10mΩ的碳化硅FET(2019-12-10)
的運行頻率將允許使用較小的濾波器。
這些器件還能夠很好地并聯使用，以處理非常大的電流。經過嚴格的損耗計算表明，使用六個UF3SC120009K4S SiC FET并聯構建的200kW，8kHz逆變器，其開關損耗和傳導損耗......
能實現更高的電流密度和系統可靠性的IGBT模塊(2023-10-20)
在25°C 和 150°C 的折中曲線（ Vcesat-Etot ）
馬達驅動的損耗計算
為了更接近客戶的實際的應用情況，如圖7是IGBT模塊在典型的馬達驅動的損耗對比，其中 Vcesat ， VF......
一文讀懂碳化硅設計中的熱管理(2023-10-11)
.Si IGBT 和 SiC MOSFET 的 VDS 比較
驅動損耗與開關器件所需的柵極電荷 (Qg) 成正比。這是每個開關周期都需要的，使其與開關頻率成正比，并且 Si MOSFET 比 SiC......
牛人剖析功率MOS，從入門到精通(2024-11-18 19:30:30)
二極管反向恢復后：
關斷損耗：
驅動損耗：
十、功率MOSFET的選......
高速永磁同步電動機定子各區域的鐵耗分析(2022-11-28)
出定子鐵心各區域鐵耗的分布特性，將定子鐵耗計算結果與有限元計算結果相比較，并進一步分析高速永磁同步電機的鐵耗密度分布特點。計算結果表明，高速永磁同步電機穩定運行在較高的頻率時，定子鐵心中的渦流損耗占總鐵心損耗的比重最大，附加損耗......
簡述碳化硅SIC器件在工業應用中的重要作用(2022-12-21)
溫度的升高，電流增益減小，驅動損耗增加。對于10 kV及更高電壓，SiC IGBT非常合適。
結語
SiC功率器件所展示的卓越動態特性為以前不切實際的電路鋪平了道路。與傳統的硅功率半導體器件相比，SiC電力......
異步電機空載損耗有多大 異步電機空載損耗計算公式(2023-07-10)
異步電機空載損耗有多大 異步電機空載損耗計算公式; 異步電機空載損耗有多大
異步電機空載損耗大小取決于電機的額定功率和額定電壓，以及電機的具體設計和制造工藝等因素。一般情況下，空載損耗......
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項，您知道嗎？(2024-06-14)
使外部碳化硅SBD的導通開關損耗(EON)降低，但關斷開關損耗(EOFF)沒有大的變化，如圖10（a）和（b）所示。需要在柵極驅動電路設計上更仔細，并會導致更高的柵極驅動損耗。增加......
功率半導體在電動汽車充電中的作用(2022-11-28)
上要求更高效率和功率密度的應用正以極快的速度向GaN產品過渡。”他還表示：“GaN提供了更低導通電阻，更低的門極電容與單位輸出電容，更低的柵極驅動損耗，這些都能幫助設計人員進一步提高器件的開關頻率，并縮小尺寸。”其他......
IGBT重要的動態參數解析(2024-11-11 14:18:47)
電阻的大小影響開關速度，即后邊介紹的開通關斷時間，進而影響IGBT的開關損耗，datasheet上驅動電阻對開關損耗......
新能源汽車電機控制器功率損耗的計算(2023-07-20)
新能源汽車電機控制器功率損耗的計算;1.簡介
電機控制器的損耗涵蓋以下幾部分：
IGBT導通損耗
IGBT開關損耗
續流二極管導通損耗
續流二極管開關損耗
DC-link電容損耗；
Bus bar......
正確選擇MOSFET以優化電源效率(2023-03-27)
，建立一個精確的數學模型來分析損耗并幫助MOSFET選型將更有價值。
計算傳導損耗
我們首先來了解相對簡單的傳導損耗計算。通過單個周期內流經 MOSFET 的電流和紋波電流可以計算出傳導損耗......
攻克難題！香港理大團隊的這個成果，事關芯片研發(2023-02-07)
了室溫下利用谷輸運機制實現晶體管工作的重大挑戰。
△谷輸運機制的量子晶體管
△基于谷輸運機制的場效應晶體管
由于谷電子晶體管在傳輸過程中有著很低的熱損耗，該技術利用谷量子輸運的低損耗特性，展示出實現低功耗計算芯片的應用潛力，未來有望實現低功耗計算......
無刷直流 (BLDC) 電機設計的新起點(2024-09-18)
無刷直流 (BLDC) 電機設計的新起點;前言
無刷直流電機(BLDC)設計很復雜。在大量的MOSFET、IGBT和門極驅動器產品組合中開始選擇電子器件(舊的起點) 是茫然無助的。
安森......
MOSFET在服務器電源上的應用(2024-06-10)
MOS，其產品優勢：
針對PFC拓撲，優化EAS，增強抗雪崩能力，增強抗浪涌能力；
針對LLC拓撲，優化體二極管，增強di/dt能力，降低Qrr和驅動干擾；
優化Qg和Coss/Ciss比值，降低驅動損耗......
SiC和GaN的技術應用挑戰(2023-10-17)
SiC和GaN的技術應用挑戰;本文引用地址：1 和的優勢
相比傳統MOSFET和IGBT方案，和器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅動損耗和更高的開關速度。雖然和在某些低于10 kW功率......
滿足高度緊湊型1500-V并網逆變器需求的新型ANPC功率模塊(2022-12-09)
-IGBT技術。盡管碳化硅（SiC）器件價格高昂，并且所需的柵極驅動器原理更復雜，比如利用有源米勒鉗位抑制寄生元件開通，但是該類器件的損耗大幅降低。因此，對于快速開關器件來說，SiC T-MOSFET......
開始使用 Power Stage Designer 的 13 個理由(2023-04-24)
現有功能集之上添加了一個新拓撲和兩個新的設計功能，可幫助您進一步縮短開發電源的設計時間。
新工具包含場效應晶體管 (FET) 損耗計算器、并聯電容器的電流共享計算器、交流/直流電源大容量電容器計算器、用于......
IGBT驅動電路介紹(2024-02-29)
由于IGBT模塊中di/dt的增大，也增大了續流二極管的過壓極限。
柵極電阻與關斷變化圖
柵極驅動的印刷電路板布線需要非常注意，核心問題是降低寄生電感，對防止潛在的振蕩，柵極電壓上升速率，噪音損耗......
簡述功率MOSFET電流額定值和熱設計(2022-12-21)
(on)。不同波形的RMS內容可在附錄中找到。開關損耗可通過開關波形，柵極電荷或分析方法計算出。IGBT的傳導損耗和開關損耗計算方法更為復雜。
?
第3節基本方程式中的功率指“平均”功率，且只......
乾坤科技推出微型化電源模組Power Block，賦能人工智能(2022-11-27)
輕重載效率。以典型12Vin-0.8Vout應用為例，考慮Mos管驅動損耗，峰值效率可達到90.7%，重載60A下效率接近88%。外部配置之多相電源控制器，能滿足各類嚴格的動態響應要求,在12Vin......
干貨｜IGBT和SiC 柵極驅動器基礎知識(2022-12-23)
電流過 小，則損耗升高。所需的柵極驅動強度取決于器件的 柵極電荷 QG，如圖 11 所示。可以使用以下公式計算在 V gs 增大至超過 Vth 到最大驅動電壓 VDRV 期間（時間為 ton）為器......
英飛凌推出全新的CoolMOS PFD7高壓MOSFET系列(2022-11-09)
，提高了設計自由度；利用低閾值電壓和容差可避免使用MOSFET線性模式，降低了驅動電壓和閑置損耗。另外，與CoolMOS C3相比，新產品系列的柵極電荷改善了60%，大大降低了驅動損耗......
《汽車芯片標準體系建設指南》技術解讀與功率芯片測量概覽(2024-03-06)
60747-8
柵極驅動
參數：
Vg vs. Qg,
(Qgs(th), Qgs(pl), Qgd)
測試描述：
通過雙脈沖測試測量驅動電壓和電流，在不同的驅動電壓下測量驅動電荷，這些參數用來表征器件的驅動損耗......
優化汽車應用的駕駛循環仿真(2023-01-06)
器性能和駕駛循環仿真
在這一點上，我們已經討論了四個仿真架構中的三個：器件、模塊和系統級別。這些都是建立對駕駛循環中系統級功能的核心理解和期望所必需的。雖然電氣操作點、熱/電特性、損耗計算......
優化汽車應用的駕駛循環仿真(2023-01-09)
都是建立對駕駛循環中系統級功能的核心理解和期望所必需的。雖然電氣操作點、熱/電特性、損耗計算和模型可以在 Wolfspeed 方面處理，但全球統一輕型車輛測試循環（WLTC）（圖 6 所示的樣本圖）將規定扭矩、速度、加速度以及這些參數的操作點。
圖......
閃耀光儲充重鎮，2023慕尼黑華南電子展盛大開幕！(2023-10-31 09:20)
于縮小車載逆變器和各種開關電源等眾多應用的體積，能更好兼容傳統硅基IGBT的驅動電路，實現器件可靠性的提升，并降低了驅動損耗。作為國內知名的碳化硅器件制造與應用解決方案提供商泰科天潤亮相了本次慕展，展示了SiC MOSFET......
工業馬達驅動設計中IGBT的作用(2024-08-13)
工業馬達驅動設計中IGBT的作用;針對所有的應用，人們越來越注意電動馬達的運作效率；因此，對高效率驅動器的需求變得日益重要。此外，使用馬達驅動的設計，例如電動馬達、泵和風扇，需要降低整體成本，且需......
SiC MOSFET用于電機驅動的優勢(2023-12-22)
MOSFET的開通損耗也低于IGBT。另外，SiC MOSFET可以使得伺服驅動器與電機集成在一起，從而摒除線纜上dv/dt的限制，高dV/dt條件下，SiC的開關損耗會進一步降低，遠低于IGBT。即使......
如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器(2024-07-23)
?2 表明了 SiC FET 與硅 IGBT 的特征。在任何給定電流下，ID*VDS?的乘積都能表示給定導電損耗。因此，很容易看出，在采用單極 SiC FET 時，沒有采用 IGBT 時會......
TI推出250W氮化鎵IPM，比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
TI推出250W氮化鎵IPM，比IGBT更小巧更高效;隨著快充市場的成功，如今的氮化鎵（GaN）已經不滿足于固守在單一領域，而是向MOSFET占據的其他廣泛市場發起挑戰，電機驅動......
聊聊IGBT功率模塊的結溫計算及其模型(2023-09-12)
聊聊IGBT功率模塊的結溫計算及其模型;1. 簡介
電機控制器的功率模塊，即IGBT器件和續流二極管，在開關和導通電流會產生損耗，損失的能量會轉化成熱能，表現為功率模塊發熱。電機......
革新ZVS軟開關技術，Qorvo SiC FET解鎖高效率應用潛能(2024-07-25)
極電荷（Qg）：ZVS應用由于消除了關斷損耗，可以支持更高的開關頻率。較低的柵極電荷意味著在高開關頻率下，柵極驅動損耗更小，特別是在輕負載條件下，這有利于提高效率和系統穩定性。
4、低時......
Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開關損耗(2024-03-01)
Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開關損耗;
2024年2月29日，美國賓夕法尼亞MALVERN、中國上海——日前，威世科技Vishay......
Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開關損耗(2024-03-01)
Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開關損耗;
【導讀】日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市......
永磁電機損耗、溫升和冷卻分析(2024-09-03)
材料成本是釹鐵硼磁粉的1 /3，但尚處于實驗室研制階段。
硅鋼片的磁化曲線和損耗特性曲線對電機的損耗計算、過載能力計算等非常關鍵; 硅鋼片疊片膠粘劑的熱穩定性對電機在高溫、高速......
Vishay推出采用改良設計的INT－A－PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開關損耗(2024-02-29 15:02)
Vishay推出采用改良設計的INT－A－PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開關損耗;半橋器件采用Trench IGBT技術，可選低VCE(ON)或低Eoff，適用于大電流逆變級日前，威世......
DCT（雙離合變速器）用電機(2024-05-13)
系統的離合器齒輪按奇數段/偶數段交互切換，執行快速變速的DCT。不存在扭矩轉換器導致的滑動損耗。
變速裝置中，DCT（Dual Clutch Transmission 雙離合變速器）引起......
碳化硅MOSFET在電動汽車熱管理系統中的研究(2023-05-04)
結溫處于設定值,驅動電壓為15V,門極電阻為10ft?通過Matlab對雙脈沖測試測得的數據進行處理,得到碳化硅M0SFET不同通態電流下的開關損耗數據,將其與硅IGBT數據手冊上的數據一起處理后得到兩者間的開關損耗......
門極驅動正壓對功率半導體性能的影響(2024-01-30)
門極電壓大于15V后，即使門極電壓再升高，VCE飽和壓降變小得不多了。所以IGBT選用15V驅動是一個不錯的選擇。
對開關損耗的影響
另外，門極的正壓對降低開關損耗也是有幫助的。因為......
有源鉗位技術解析(2022-12-15)
減少關斷電壓與電流的重疊面積，達到減少損耗提高效率的目的。由于系統雜散電感的存在，IGBT兩端不可避免會承受超過母線的尖刺電壓，正常工況下通過合理布板與母排設計可以減小此寄生電感，同時通過驅動......
FHF20T60A型號IGBT適用于破壁機馬達驅動(2024-08-12)
品特點，讓破壁機馬達驅動的電路中在導通損耗和關斷損耗（Eoff）之間做出來良好的權衡，其出色的導通壓降與極短的拖尾電流為無刷電機在優化系統效率時提供有力的幫助。
目前FHF20T60A型號IGBT單管已經廣泛適用于破壁機馬達驅動......
AN-1316：為IGBT電機驅動器生成多個隔離偏置軌(2023-10-27)
至100 kHz的頻率范圍內接近飽和電流額定值，則磁芯損耗過大。如果可能，請使用線藝等電感器制造商提供的磁芯損耗計算器。在給定尺寸下，匝數越小的導線提供更高的電感，可以降低紋波電流和磁芯損耗，但會......
SiC MOSFET在汽車和電源應用中優勢顯著(2024-07-24)
SiC MOSFET在汽車和電源應用中優勢顯著;商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動......
相關企業
;云南領跑科技有限公司;;我公司是一家專業從事大功率IGBT驅動模塊的開發與應用的企業。我公司研發的大功率IGBT智能驅動模塊在充分吸收和借鑒國外最新技術的基礎上自主創新，研制
;北京普爾盛技術有限公司;;北京普爾盛電子技術有限公司始創于2001年，是集貿易及研發制造于一體的專業電力電子器件供應商。2003年成立驅動事業部專注于IGBT驅動芯片的開發設計，于技
;北京通廣利達科技有限公司;;2003年成立，西門康 三社：可控硅 二極管模塊 IGBT,inpower 數字化IGBT驅動
;中捷聯創電子技術有限公司;;深圳市中捷聯創電子技術有限公司是，是一家專業從事現代國電力半導體器件模塊-IGBT，IGBT智能化模塊-IPM。專門用于模塊的驅動
;上海睿薩電子科技有限公司;;專業電子元器件經銷商，產品包括薄膜電容,無感電容,充油電容,螺栓式電解電容,功率IGBT,IGBT驅動板,可控硅,大功率IGBT,電源模塊等。
接收模塊、安全柵、隔離器、LED驅動器、IGBT驅動器/驅動電源、功率繼電器、汽車繼電器、磁保持繼電器、IGBT,IPM等。
）電力電子器件：IGBT、隔離驅動變壓器、驅動光耦。長期提供各種IGBT模塊、變頻器變壓器、驅動光耦。
;鄭州通達電氣有限公司;;功率模塊、變頻器模塊、IGBT模塊、可控硅模塊、整流橋模塊、二極管模塊、IGBT單管、IGBT驅動電路 三菱,富士,東芝,三社,三墾,西門子,西門康,日立,摩托
IGBT、富士模塊，英飛凌模塊，驅動模塊，日立電容暢銷消費者市場，在消費者當中享有較高的地位，公司與多家零售商和代理商建立了長期穩定的合作關系。北京萬利榮達科技有限公司經銷的電子元器件、IGBT模塊
焊機的工作原理: 電源供給：和場效應管作逆變開關的焊機一樣，焊機電源由市電供給，經整流、濾波后供給逆變器。 逆變：由于IGBT的工作電流大，可采用半橋逆變的形式，以IGBT作為開關，其開通與關閉由驅動