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垂直GaN JFET的動態性能;美國弗吉尼亞理工學院、州立大學和NexGen電力系統公司首次對垂直（GaN）功率晶體管的動態電阻（?RON）和閾值電壓（VTH）穩定性進行了實驗表征。研究......
安森美斥資1.15億美元收購Qorvo旗下SiC JFET技術;近日，onsemi（安森美）宣布，已達成一項協議，以1.15億美元現金從Qorvo收購碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）技術......
革新電路保護：Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固態斷路器升級; 【導讀】Qorvo推出了一款750V、4毫歐（mΩ）碳化硅（SiC）結型場效應晶體管（JFET）產品；其采......
單的采樣保持電路 Vs：輸出信號 C：電容 S：作為開關工作的 MOS 晶體管 Va：輸入......
）今日宣布，率先在業界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結型場效應晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產......
替換為能夠大幅降低導通電阻的結構變得更具價值。對此，結型場效應晶體管（JFET）結構提供了關鍵優勢。它具有概念上更簡單的結構（如圖2中右下部分所示）；此外，得益于載流子無需先通過類似MOSFET的溝......
JFET技術及子公司 另外值得注意的是，12月10日，安森美宣布，已與Qorvo達成協議，將以1.15億美元現金收購碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）技術業務，以及包括Qorvo子公......
半導體領域新增并購案(2024-12-12 12:41:54)
美”消息，該公司已與Qorvo達成協議，以1.15億美元（約合人民幣8.36億元）現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司United Silicon Carbide。不過......
用于開關小于±250 mV的信號，則泄漏電流（25?C）將為超皮安。 圖3示出了使用增強模式晶體管開關作為模擬開關的示例。圖示了SD5400-2四路DMOS開關（SD5000-2，SD-5200-2和......
革新電路保護：Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固態斷路器升級;Qorvo推出了一款750V、4毫歐（mΩ）碳化硅（SiC）結型場效應晶體管（JFET）產品；其采......
PM155S數據手冊和產品信息;PM155提供低輸入電流、高壓擺率特性，可以直接與LF155型放大器互換使用。這款運算放大器采用新型工藝，匹配的JFET晶體管和標準雙極性晶體管......
? 今日宣布，率先在業界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結型場效應晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產......
QSPICE發明者隨筆——利用寬帶隙FET簡化高壓調節;Charley Moser擁有EE博士學位，是我最早的模擬設計導師之一。從他那里，我學到了很多知識——混合pi晶體管建模、用于......
化硅溝槽側壁上制備的柵極具有更高的溝道遷移率，這意味著與平面器件相比，電子穿過溝槽柵極的阻礙較少。這能降低溝道電阻。其次，溝槽式金氧半場效晶體管可能消除平面金氧半場效晶體管的JFET電阻，在該區域中，來自......
入業界以來，他領導了新型硅絕緣柵雙極型晶體管產品線研發，并發起了一個在電路保護應用中使用碳化硅JFET的研發項目。他于2020年加入TechInsights并成為功率半導體器件的學科專家，同時持續了解整個行業的最新發展。 ......
羅姆（ROHM）第4代：技術回顧;今年發布了他們的第4代（Gen4）金氧半場效晶體管（）產品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場效晶體管，以及......
在業界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結型場效應晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產品專為包括固態斷路器在內的電路保護應用而設計，UJ4N075004L8S 所具......
宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型 D2PAK-7L?封裝中實現業界卓越的 9mΩ?導通電阻 RDS(on)。此款 750V ?作為 ?全新引腳兼容 ?系列......
宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現業界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新......
Qorvo 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設計性能;全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?今日宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET......
是一種類似三明治的場效應晶體管，它在接面處沒有使用氧化物隔開閘極，音響迷一定不陌生， JFET的推動力大，線性高對高頻反應又不良，是非常良好的音響用放大器材料。讀者若想看到實體物品，走一......
供出色的功率和零干擾接收性能，同時還內置了全向天線”。甚至有一個帶電線的遙控器。如今，超共源共柵另有含義。從 1939 年的管式穩壓器，到早期的音頻放大器，再到高電壓應用中的雙極晶體管堆棧，我們可以了解到這個詞的起源。目前......
投入到電動車研發中，設法找到最有效的技術來盡可能提高能效、降低體積和重量以及盡可能從昂貴的電池組中獲益，從而延長單次充電行駛里程。這讓?SiC?晶體管迅速進入電動車的車載充電器和直流轉換器中。鑒于牽引逆變器處理 10......
ADA4625-1數據手冊和產品信息;UG-1201 介紹了用于 ADA4625-1 低噪聲、快速穩定單電源軌到軌輸出 (RRO) 結型場效應晶體管 (JFET) 運算放大器的評估板，此評......
相形勝出 第一款向市場投放的碳化硅功率電晶體是在2008年，以1,200伏結場效應電晶體(JFET)的形式出現的。SemiSouth實驗室遵循了JFET的方法，因為當時，雙極結晶體管(BJT)和......
降低的精度，因為這取決于分流電阻。雖然現今的技術可實現高精度電流傳感器，但卻無法降低損耗。 東芝的新技術采用級聯共源共柵，將低壓金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）與GaN 場效應晶體管......
Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管......
Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管......
Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管......
Transistor)：結型場效應晶體管 *3：RoHS: Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical......
人員可以選擇符合其系統要求的放大器架構，其輸入電壓、帶寬和關鍵特性分別如下： ：27V結型柵場效應晶體管（JFET）輸入雙運算放大器（op amp），120MHz帶寬，500μV最大......
MOSFET或JFET 開關晶體管 PWM 源，如Arduino Uno或555 定時器，可生成 50KHz、5V、75% 占空比 2、DC-DC 升壓電路工作原理圖 DC-DC 升壓電路......
一個 MOSFET或JFET 開關晶體管 PWM 源，如Arduino Uno或555 定時器，可生成 50KHz、5V、75% 占空......
直到現在行業中還沒有哪種解決方案能夠全面測試其在各種工作電壓下的電容性能。B1507A 將會填補這一空白，對功率器件執行完整、可靠、自動化的電容測試。” B1507A 的關鍵特性包括： ·易于使用，能夠對高偏置電壓下的晶體管輸入、輸出和反向傳輸電容（Ciss......
MOS管基礎及選型指南;，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導體（Semiconductor）場效應晶體管，是一種應用場效應原理工作的半導體器件。本文引用地址： 和普通雙極型晶體管......
中，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的導通電阻，比目前市場同類產品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶體管的導通阻抗還要低上 4-10 倍。 的 750V 額定......
元市場規模。傳統的硅基設備（包括整流器、晶閘管、雙極型晶體管、X-FET如MOSFET、JFET等、IGBT模塊及IPM）在某些應用中會有所增長，但在其他市場正逐步被寬帶隙（WBG）技術......
CAMECA LEAP 4000X HR 目標分析器件–UnitedSiC第四代SiC JFET UnitedSiC UJ4C075018K4S的額定電壓為750 V，導通電阻（RDS.（ON））為18mΩ......
4000X HR 目標分析器件–UnitedSiC第四代SiC JFET UnitedSiC UJ4C075018K4S的額定電壓為750 V，導通電阻(RDS.(ON))為18mΩ......
須對這三者的內部結構和工作原理有大致的了解。 BJT 雙極性晶體管，俗稱三極管。內部結構(以PNP型BJT為例)如下圖所示。 BJT內部......
前市場同類產品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶體管的導通阻抗還要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 額定電壓也比其它的一些替代技術高100-150V......
個表中還顯示了每次實驗測定的Si、C和Al含量。? 表1：由APT確定的JFET門區成分 值得注意的是，APT重構揭示了Al在柵極區域內的極不均勻分布，這表明它與SiC中的晶體缺陷分離（圖5）。這些......
二極管的功能是為電路提供短路保護。 ▲ 圖1.1 恒流二極管的符號 二、恒流二極管工作原理 恒流二極管的內部結構如下圖所示。該二極管包括一個 N 溝道 JFET 晶體管，其中晶體管......
高壓SiC MOSFET研究現狀與展望;碳化硅（）金屬氧化物半導體場效應晶體管（）作為寬禁帶半導體單極型功率 器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優勢，在高壓應用領域需求廣泛，具有巨大的研究價值。回顧......
合，成為 SiC?晶體管領域的基準。該設計的特殊功能包括通過自對準工藝將通道定向為單一晶體取向。這確保了的溝道遷移率和窄的閾值電壓分布。另一個特點是深 p 溝槽在中心與實際 MOS 溝槽相交，以允......
能會使性能受損 ? 有些方法可以將SiC FET器件的dV/dt有效控制在從45V/ns至5V/ns的范圍內，而不會導致過長的延遲時間。這三種方法是：外部柵漏電容、器件RC緩沖電路和JFET直接驅動，它們......
，在 TOLL 封裝中，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的導通電阻，比目前市場同類產品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶體管的導通阻抗還要低上 4-10......
電場緩和技術的溝槽柵極半導體器件，提高了每個芯片的輸出，因為它們減少了由發熱引起的功率損耗，獨特的結構實現了高電壓和低導通電阻操作。 住友電工 住友電工利用獨特的晶面新開發了V形槽溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管......
斥資1.15億美元，安森美宣布收購Qorvo SiC JFET業務;這一收購將顯著提升安森美在碳化硅技術領域的市場地位，并增強其在電動汽車、工業電源和可再生能源市場的競爭力。 據官方新聞稿線上，安森......
前市場同類產品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶體管的導通阻抗還要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 額定電壓也比其它的一些替代技術高100-150V，為客......

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;安丘市科威電子有限公司;;我公司已有13年半導體器件生產歷史,設備先進,測試儀器齊全,例行實驗設施完善。主要產品有:１．ＮＰＮ硅低頻大功率晶體管　3DD1-3DD12,3DD21
;東莞燦域電子有限公司;;我司是一家生產代理.二三極管 .產品系列有各種封裝的 晶體管 場效應管 可控蛙 三端穩壓IC等品種達800遇種. 產品用于;顯示器 電源 音響 電話機 電腦 玩具 節能
;szwtron;;分布式組件、集成電路、電子組件、被動組件等。主動組件：小信號晶體管、功率晶體管、場效應晶體管、IGBT、線性IC、邏輯處理IC、LCD驅動IC、、MP3IC、DVDIC、工業
主要產品是江蘇供應長電全系列二/三極管，晶體管，MOS管，壓敏電阻，TVS管，整流管，穩壓管，雙晶體管，數字晶體管，鎮流器專用開關晶體管等被動元器件。 公司秉承想客戶之所想，急客戶之所急的經營思路，快速，高效，靈活
類電子元器件，主要產品包括：高頻中、小功率晶體管、玻璃封裝硅功率二極管、高壓硅堆、單相、三相橋式硅整流器、高頻大功率晶體管、低頻大功率PNP、NPN晶體管、功率晶體開關管、達林頓PNP、NPN功率晶體管、功率MOS
;深圳市雄基電子器材有限公司;;是深圳老牌的電子產品供應商，公司位于華強北電子大廈。主要產品：穩壓電路 .穩壓二極管 1瓦 . 集成電路 . 穩壓二極管 .To-92雙極型晶體管 . 貼片
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;瀚博集團有限公司;;瀚博集團有限公司是專業提供被動電子元器件供應商。致力為您提供專業化的服務。全面滿足廣大用戶多方位的需求。公司主要產品是全系列二/三極管，晶體管，MOS管，壓敏電阻，TVS管
;安丘市中惠電子有限公司;;安丘市中惠電子有限公司，毗鄰美麗的世界風箏都－濰坊，是國內生產半導體分離器件的專業廠家。主要生產高、低頻大功率晶體管，高頻小功率晶體管，高反壓大功率晶體管、三極管、達琳頓晶體管
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