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  • 晶體管 - FET，MOSFET - 單電池

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基二極管同樣有一個內置的固定正向電壓。利用FET較低的傳導損耗，與輸入交流波形同步地主動開關MOSFET器件以模仿二極管，可以實現更高的效率。有源整流常被稱為同步整流，是指......
EPC新推由氮化鎵場效應晶體管驅動且可擴展的DC/DC演示板;EPC9137是一款兩相的48 V/12 V雙向轉換器，以小型化解決方案提供1.5 kW功率，效率為97%，適用于輕度混合動力汽車和電池......
EPC新推由氮化鎵場效應晶體管驅動且可擴展的DC/DC演示板;EPC9137是一款兩相的48 V/12 V雙向轉換器，以小型化解決方案提供1.5 kW功率，效率為97%，適用于輕度混合動力汽車和電池......
EPC新推由氮化鎵場效應晶體管驅動且可擴展的DC/DC演示板;EPC9137是一款兩相的48 V/12 V雙向轉換器，以小型化解決方案提供1.5 kW功率，效率為97%，適用于輕度混合動力汽車和電池......
了比硅更快的開關速度、更低的傳導損耗和更好的熱性能。 每個 IGBT 和 MOSFET 的前端都有一個充當電容器的柵極。必須充滿電才能“打開”功率晶體管，從而允許電流在漏極和源極之間流動。相反，耗盡......
品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900......
MOSFET開關損耗簡介;本文將通過解釋功耗的重要來源來幫助您優化開關模式調節器和驅動器電路。本文引用地址：的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關。在線性模式中，晶體管......
生產大批量基礎半導體二極管件的專家，其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia......
認證的氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）EPC2252，為設計人員提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解決方案，用于車規級激光雷達、48 V/12 V DC/DC轉換和低電感電機驅動器。 作為......
傳感器基于MOSFET或金屬氧化物半導體FET，這是一個帶有絕緣柵極的三端或四端FET。 圖3顯示了一個n溝道MOSFET或nMOS晶體管，具有四個端子：柵極、漏極、源極和體極（塊體）。源極......
采用EPC新型車規級GaN FET設計更高分辨率激光雷達系統;以實現更先進的自主式系統EPC推出 80 V、通過AEC-Q101 認證的氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）EPC2252，為設......
采用EPC新型車規級GaN FET設計更高分辨率激光雷達系統 以實現更先進的自主式系統;EPC推出?80 V、通過AEC-Q101?認證的氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）EPC2252，為設......
轉換效率和功率密度是設計成功的關鍵。本文引用地址： 為了滿足這些要求，開關模式電源系統的設計者需要從使用傳統的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 轉為使用其它器件，因為......
半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家，其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC......
品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年......
EPC推出80V、通過AEC-Q101認證的氮化鎵場效應晶體管; 【導讀】EPC推出 80 V、通過AEC-Q101 認證的氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）EPC2252，為設......
宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現業界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新......
Qorvo 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設計性能;全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?今日宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET......
直流電機之所以既只用直流電，又不用電刷，是因為外部有個電路來專門控制它各線圈的通電。這個電流換向電路最主要的部件是FET(場效應晶體管，Field-EffectTransitor)。可以把FET看作......
（MOSFET）的高電流單柵控制特性及雙極性晶體管的低飽和電壓的能力，在單一的IGBT器件里，會透過把一個隔離的場效應晶體管（FET）結合，作為其控制輸入，并以雙極性晶體管......
宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型 D2PAK-7L?封裝中實現業界卓越的 9mΩ?導通電阻 RDS(on)。此款 750V ?作為 ?全新引腳兼容 ?系列......
投入到電動車研發中，設法找到最有效的技術來盡可能提高能效、降低體積和重量以及盡可能從昂貴的電池組中獲益，從而延長單次充電行駛里程。這讓?SiC?晶體管迅速進入電動車的車載充電器和直流轉換器中。鑒于牽引逆變器處理 10......
氣轉換過程中提取熱量變得更具挑戰性，散熱問題也重新進入到要專業解決方案的狀態，但這帶來的是數倍的功率密度，這對電動汽車來說是十分值得的。 就電動汽車而言，牽引逆變器可以節省大部分電力，其中SiC FET 可以取代絕緣柵雙極晶體管......
基于FET的100W音頻放大器電路圖;該 100W?音頻放大器設計采用兩個 V-MOSFET?晶體管技術作為輸出級，可在 4 Ω 負載下提供 100W 輸出。重要的是，通過添加散熱器或風扇等方式使輸出級的晶體管......
品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年......
從Digikey購買。 關于EPC 宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵（eGaN?）的功率管理器件的領先供貨商，氮化鎵(eGaN)場效應晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目......
級包括一個高壓直流總線，該總線通過一個與 IGBT 或 SiC MOSFET 等功率晶體管的三個相位相連的大電容器組去耦。功率級應該在將直流電壓轉換為交流時具有極小的功率損耗，并且尺寸較小，以便高效地使用電池......
牽引逆變器尺寸的因素有以下兩個：高電壓晶體管的類型，以及電池的電壓電平。與具有相同額定電壓的 IGBT 相比，SiC MOSFET 具有更低的開關損耗和更小的裸片尺寸，因此......
EPC新推80 V和200 V eGaN?FET,進一步擴大其高性能氮化鎵產品陣容;宜普電源轉換公司（EPC）是增強型硅基氮化鎵 (eGaN) 功率 晶體管和集成電路的全球領導者。新推......
有符合行業標準的管腳尺寸。雙極性晶體管應用廣泛，如LED汽車照明系統；LCD顯示器中的背光燈調光；線性穩壓器；繼電器替代產品、電機驅動和?MOSFET?驅動器。 廣告 Nexperia的產......
英飛凌肖特基柵極氮化鎵自主技術的常閉單片雙向開關，能阻斷兩個方向的電壓，并且通過單柵極共源極的設計進行了優化，以取代電池供電消費產品中用作斷開開關的背對背MOSFET? 相比背對背硅FET，使用40V GaN BDS的優點包括節省50%-75%的PCB......
Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管......
Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管......
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含兩個電壓監控保護引腳，以使用外部電阻分壓器和 ADC（模數轉換器）安全地檢測電池電壓。高度集成的比較器和有源整流器解決方案大大簡化了物料清單 (BOM)，并縮小了印刷電路板 (PCB) 面積。該控制器驅動一個外部 N 通道金屬氧化物半導體場效應晶體管......
品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年......
半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家，其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏......
-MOSFETs 關于Nexperia Nexperia，作為生產大批量基礎半導體二極管件的專家，其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護二極管件、MOSFET......
電機狀態的反饋，并發送信號來調節電機的扭矩、位置和速度。柵極驅動器將來自 MCU 的信號放大，以驅動電機的金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。 ? 圖 1：基本電機控制方框圖 您可以使用 BJT......
關于Nexperia Nexperia，作為半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家，其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管......
半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家，其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC......
。 FET Field Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。 接合型FET多用于音頻設備等的模擬電路中，MOS型FET主要......
生產大批量基礎半導體器件的專家，其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC......
下找到電路中的最小損耗點。設計人員在選擇 MOSFET 比率時必須牢記這些規范。 圖 8：最佳效率的比較 結語 MOSFET 的選擇與電路效率密切相關，而精確的數學模型可以簡化 MOSFET 晶體管......
及通訊科技）產業。 晶體管 另外晶體管也是本次推出產品之一，包括高-VDSS?MOSFET—TKxx系列，低-VDSS?MOSFET—TPCA系列以及小信號MOSFET: SSM系列......
著的電壓降低到升壓和升降壓等各種拓撲。 開關穩壓器 開關穩壓器使用電源開關、電感器和二極管將能量從輸入傳輸到輸出并調節電壓。 它們通過電源開關（通常是場效應晶體管（FET），并由......
于移動設備USB端口、電池管理系統、逆變器和整流器等。CoolGaN? Smart Sense 產品具有無損電流檢測功能，簡化了設計并進一步降低了功率損耗，同時將各種晶體管開關功能集成到一個封裝中，適用......
品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部......
器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產品，產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面......
測物件的速度及準確性非常重要。EPC9144演示板展示出通過AECQ101認證的車規級EPC2216氮化鎵場效應晶體管具備快速轉換性能，與等效MOSFET相比，EPC2216的功率脈沖可以快速10倍的......

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;蒼南INT;;蒼南INT 從國際知名品牌獲得半導體原材料：IC，二極管，晶體管，FET ，Mos管等。代理供貨商為Didoes ,Atmel,Vishay,Dialog,Little fuse
和FET,功率雙極晶體管和FET, IGBT, etc） h. 二極管（整流、齊納、開關二極管,SBD,變容二極管,etc） i. 晶閘管/可控硅 II 羅姆電子 a. ASSP（音視頻用IC
;思高捷科技有限公司;;Mosfet晶片組（IR）與FPGA（Xilinx） 、CPLD（Altera） 、特定應用IC（Intersil,TI）、晶體管（ROHM,ST）, 模擬IC（ADI
;豐泰電子（香港）公司;;ROHM大中華區專業經銷商。分離式半導體如晶體管，場效應晶體管MOSFET、雙極晶體管、數字晶體管、復合晶體管；二極管，肖特基勢壘二極管、整流二極管、整流二極管、開關
電源、電焊機、儀器儀表、汽車電子等領域的推廣，服務與銷售。 代理產品線： ROHM（羅姆）半導體：電源管理IC；MOSFET；晶體管（包括：雙極晶體管，復合晶體管，數字晶體管）；二極管（包括：肖特
,鋰離子電池保護，充電控制，MOSFET/IGBT驅動，78/79系列，LDO，電壓參考，電壓監控分立器件：功率晶體管，達林頓管，MOSFET，IGBT，小信號,整流,穩壓,肖特基,調諧二極管，可控
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日本的物流和基礎設施問題導致硅供應中斷，不僅會影響NAND閃存、DRAM、微控制器、標準邏輯、LCD面板和LCD元件，而且會影響分立器件等產品，如MOSFET、雙極晶體管和小信號晶體管。 本文來自維庫電子市場網 http