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基二極管同樣有一個(gè)內(nèi)置的固定正向電壓。利用FET較低的傳導(dǎo)損耗，與輸入交流波形同步地主動(dòng)開(kāi)關(guān)MOSFET器件以模仿二極管，可以實(shí)現(xiàn)更高的效率。有源整流常被稱為同步整流，是指......
EPC新推由氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)且可擴(kuò)展的DC/DC演示板;EPC9137是一款兩相的48 V/12 V雙向轉(zhuǎn)換器，以小型化解決方案提供1.5 kW功率，效率為97%，適用于輕度混合動(dòng)力汽車和電池......
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EPC新推由氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)且可擴(kuò)展的DC/DC演示板;EPC9137是一款兩相的48 V/12 V雙向轉(zhuǎn)換器，以小型化解決方案提供1.5 kW功率，效率為97%，適用于輕度混合動(dòng)力汽車和電池......
了比硅更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的傳導(dǎo)損耗和更好的熱性能。 每個(gè) IGBT 和 MOSFET 的前端都有一個(gè)充當(dāng)電容器的柵極。必須充滿電才能“打開(kāi)”功率晶體管，從而允許電流在漏極和源極之間流動(dòng)。相反，耗盡......
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900......
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗簡(jiǎn)介;本文將通過(guò)解釋功耗的重要來(lái)源來(lái)幫助您優(yōu)化開(kāi)關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動(dòng)器電路。本文引用地址：的工作可以分為兩種基本模式：線性和開(kāi)關(guān)。在線性模式中，晶體管......
生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體二極管件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia......
認(rèn)證的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)計(jì)人員提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解決方案，用于車規(guī)級(jí)激光雷達(dá)、48 V/12 V DC/DC轉(zhuǎn)換和低電感電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。 作為......
傳感器基于MOSFET或金屬氧化物半導(dǎo)體FET，這是一個(gè)帶有絕緣柵極的三端或四端FET。 圖3顯示了一個(gè)n溝道MOSFET或nMOS晶體管，具有四個(gè)端子：柵極、漏極、源極和體極（塊體）。源極......
采用EPC新型車規(guī)級(jí)GaN FET設(shè)計(jì)更高分辨率激光雷達(dá)系統(tǒng);以實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)的自主式系統(tǒng)EPC推出 80 V、通過(guò)AEC-Q101 認(rèn)證的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)......
采用EPC新型車規(guī)級(jí)GaN FET設(shè)計(jì)更高分辨率激光雷達(dá)系統(tǒng) 以實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)的自主式系統(tǒng);EPC推出?80 V、通過(guò)AEC-Q101?認(rèn)證的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)......
轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。本文引用地址： 為了滿足這些要求，開(kāi)關(guān)模式電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者需要從使用傳統(tǒng)的硅 (Si) 基金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 轉(zhuǎn)為使用其它器件，因?yàn)?.....
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC......
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年......
EPC推出80V、通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管; 【導(dǎo)讀】EPC推出 80 V、通過(guò)AEC-Q101 認(rèn)證的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）EPC2252，為設(shè)......
宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新......
Qorvo 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)性能;全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET......
直流電機(jī)之所以既只用直流電，又不用電刷，是因?yàn)橥獠坑袀€(gè)電路來(lái)專門(mén)控制它各線圈的通電。這個(gè)電流換向電路最主要的部件是FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ield-EffectTransitor)。可以把FET看作......
（MOSFET）的高電流單柵控制特性及雙極性晶體管的低飽和電壓的能力，在單一的IGBT器件里，會(huì)透過(guò)把一個(gè)隔離的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）結(jié)合，作為其控制輸入，并以雙極性晶體管......
宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L?封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ?導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V ?作為 ?全新引腳兼容 ?系列......
投入到電動(dòng)車研發(fā)中，設(shè)法找到最有效的技術(shù)來(lái)盡可能提高能效、降低體積和重量以及盡可能從昂貴的電池組中獲益，從而延長(zhǎng)單次充電行駛里程。這讓?SiC?晶體管迅速進(jìn)入電動(dòng)車的車載充電器和直流轉(zhuǎn)換器中。鑒于牽引逆變器處理 10......
氣轉(zhuǎn)換過(guò)程中提取熱量變得更具挑戰(zhàn)性，散熱問(wèn)題也重新進(jìn)入到要專業(yè)解決方案的狀態(tài)，但這帶來(lái)的是數(shù)倍的功率密度，這對(duì)電動(dòng)汽車來(lái)說(shuō)是十分值得的。 就電動(dòng)汽車而言，牽引逆變器可以節(jié)省大部分電力，其中SiC FET 可以取代絕緣柵雙極晶體管......
基于FET的100W音頻放大器電路圖;該 100W?音頻放大器設(shè)計(jì)采用兩個(gè) V-MOSFET?晶體管技術(shù)作為輸出級(jí)，可在 4 Ω 負(fù)載下提供 100W 輸出。重要的是，通過(guò)添加散熱器或風(fēng)扇等方式使輸出級(jí)的晶體管......
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年......
從Digikey購(gòu)買(mǎi)。 關(guān)于EPC 宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?）的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目......
級(jí)包括一個(gè)高壓直流總線，該總線通過(guò)一個(gè)與 IGBT 或 SiC MOSFET 等功率晶體管的三個(gè)相位相連的大電容器組去耦。功率級(jí)應(yīng)該在將直流電壓轉(zhuǎn)換為交流時(shí)具有極小的功率損耗，并且尺寸較小，以便高效地使用電池......
牽引逆變器尺寸的因素有以下兩個(gè)：高電壓晶體管的類型，以及電池的電壓電平。與具有相同額定電壓的 IGBT 相比，SiC MOSFET 具有更低的開(kāi)關(guān)損耗和更小的裸片尺寸，因此......
EPC新推80 V和200 V eGaN?FET,進(jìn)一步擴(kuò)大其高性能氮化鎵產(chǎn)品陣容;宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是增強(qiáng)型硅基氮化鎵 (eGaN) 功率 晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者。新推......
有符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的管腳尺寸。雙極性晶體管應(yīng)用廣泛，如LED汽車照明系統(tǒng)；LCD顯示器中的背光燈調(diào)光；線性穩(wěn)壓器；繼電器替代產(chǎn)品、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和?MOSFET?驅(qū)動(dòng)器。 廣告 Nexperia的產(chǎn)......
英飛凌肖特基柵極氮化鎵自主技術(shù)的常閉單片雙向開(kāi)關(guān)，能阻斷兩個(gè)方向的電壓，并且通過(guò)單柵極共源極的設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化，以取代電池供電消費(fèi)產(chǎn)品中用作斷開(kāi)開(kāi)關(guān)的背對(duì)背MOSFET? 相比背對(duì)背硅FET，使用40V GaN BDS的優(yōu)點(diǎn)包括節(jié)省50%-75%的PCB......
Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管......
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Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管......
含兩個(gè)電壓監(jiān)控保護(hù)引腳，以使用外部電阻分壓器和 ADC（模數(shù)轉(zhuǎn)換器）安全地檢測(cè)電池電壓。高度集成的比較器和有源整流器解決方案大大簡(jiǎn)化了物料清單 (BOM)，并縮小了印刷電路板 (PCB) 面積。該控制器驅(qū)動(dòng)一個(gè)外部 N 通道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管......
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年......
半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏......
-MOSFETs 關(guān)于Nexperia Nexperia，作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體二極管件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET......
電機(jī)狀態(tài)的反饋，并發(fā)送信號(hào)來(lái)調(diào)節(jié)電機(jī)的扭矩、位置和速度。柵極驅(qū)動(dòng)器將來(lái)自 MCU 的信號(hào)放大，以驅(qū)動(dòng)電機(jī)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。 ? 圖 1：基本電機(jī)控制方框圖 您可以使用 BJT......
關(guān)于Nexperia Nexperia，作為半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管......
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。 FET Field Effect Transistor的簡(jiǎn)稱，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。 接合型FET多用于音頻設(shè)備等的模擬電路中，MOS型FET主要......
生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN?FET)以及模擬IC和邏輯IC......
下找到電路中的最小損耗點(diǎn)。設(shè)計(jì)人員在選擇 MOSFET 比率時(shí)必須牢記這些規(guī)范。 圖 8：最佳效率的比較 結(jié)語(yǔ) MOSFET 的選擇與電路效率密切相關(guān)，而精確的數(shù)學(xué)模型可以簡(jiǎn)化 MOSFET 晶體管......
及通訊科技）產(chǎn)業(yè)。 晶體管 另外晶體管也是本次推出產(chǎn)品之一，包括高-VDSS?MOSFET—TKxx系列，低-VDSS?MOSFET—TPCA系列以及小信號(hào)MOSFET: SSM系列......
著的電壓降低到升壓和升降壓等各種拓?fù)洹? 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器使用電源開(kāi)關(guān)、電感器和二極管將能量從輸入傳輸?shù)捷敵霾⒄{(diào)節(jié)電壓。 它們通過(guò)電源開(kāi)關(guān)（通常是場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），并由......
于移動(dòng)設(shè)備USB端口、電池管理系統(tǒng)、逆變器和整流器等。CoolGaN? Smart Sense 產(chǎn)品具有無(wú)損電流檢測(cè)功能，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并進(jìn)一步降低了功率損耗，同時(shí)將各種晶體管開(kāi)關(guān)功能集成到一個(gè)封裝中，適用......
品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部......
器件、MOSFET器件、氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面......
測(cè)物件的速度及準(zhǔn)確性非常重要。EPC9144演示板展示出通過(guò)AECQ101認(rèn)證的車規(guī)級(jí)EPC2216氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管具備快速轉(zhuǎn)換性能，與等效MOSFET相比，EPC2216的功率脈沖可以快速10倍的......

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;蒼南INT;;蒼南INT 從國(guó)際知名品牌獲得半導(dǎo)體原材料：IC，二極管，晶體管，FET ，Mos管等。代理供貨商為Didoes ,Atmel,Vishay,Dialog,Little fuse
和FET,功率雙極晶體管和FET, IGBT, etc） h. 二極管（整流、齊納、開(kāi)關(guān)二極管,SBD,變?nèi)荻O管,etc） i. 晶閘管/可控硅 II 羅姆電子 a. ASSP（音視頻用IC
;思高捷科技有限公司;;Mosfet晶片組（IR）與FPGA（Xilinx） 、CPLD（Altera） 、特定應(yīng)用IC（Intersil,TI）、晶體管（ROHM,ST）, 模擬IC（ADI
;豐泰電子（香港）公司;;ROHM大中華區(qū)專業(yè)經(jīng)銷商。分離式半導(dǎo)體如晶體管，場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET、雙極晶體管、數(shù)字晶體管、復(fù)合晶體管；二極管，肖特基勢(shì)壘二極管、整流二極管、整流二極管、開(kāi)關(guān)
電源、電焊機(jī)、儀器儀表、汽車電子等領(lǐng)域的推廣，服務(wù)與銷售。 代理產(chǎn)品線： ROHM（羅姆）半導(dǎo)體：電源管理IC；MOSFET；晶體管（包括：雙極晶體管，復(fù)合晶體管，數(shù)字晶體管）；二極管（包括：肖特
,鋰離子電池保護(hù)，充電控制，MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)，78/79系列，LDO，電壓參考，電壓監(jiān)控分立器件：功率晶體管，達(dá)林頓管，MOSFET，IGBT，小信號(hào),整流,穩(wěn)壓,肖特基,調(diào)諧二極管，可控
樁、變頻器、逆變器、BMS電池保護(hù)板及通信等領(lǐng)域 ◆?RENESAS（瑞薩）?MCU?RL78?78K?RX?RH850?RZ?等系列 ◆?TOSHIBA（東芝）?功率MOSFET?二極管?晶體管?光電
管 晶體管 光電半導(dǎo)體 通用線性IC ◆FUJI（富士電機(jī)） 功率MOSFET 電源控制IC 功率半導(dǎo)體（IGBT） 整流二極管 ◆德國(guó)EPCOS（愛(ài)普科斯） 氣體放電管 Surge Arresters
;易信通科技有限公司;;深圳市易信通科技有限公司是一家MOS-FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)銷售的專家,現(xiàn)推出臺(tái)灣茂鈿半導(dǎo)體股份有限(WWW.MTSEMI.COM)公司全線產(chǎn)品.產(chǎn)品主要有MT2300
日本的物流和基礎(chǔ)設(shè)施問(wèn)題導(dǎo)致硅供應(yīng)中斷，不僅會(huì)影響NAND閃存、DRAM、微控制器、標(biāo)準(zhǔn)邏輯、LCD面板和LCD元件，而且會(huì)影響分立器件等產(chǎn)品，如MOSFET、雙極晶體管和小信號(hào)晶體管。 本文來(lái)自維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) http