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- 液相法碳化硅晶體生長
資訊
晶格領(lǐng)域:公司液相法生長碳化硅晶圓項目開始試生產(chǎn)(2021-04-08)
年產(chǎn)值6億元。其中,項目一期投資5000萬元,租賃廠房1050平方米,建設(shè)4—6英寸液相法碳化硅晶體生長中試線。
據(jù)了解,晶格領(lǐng)域于2020年06月注冊成立,注冊資本2000萬元,其主營業(yè)務(wù)為碳化硅......
第三代半導(dǎo)體SiC動態(tài)涌現(xiàn)!(2024-05-16)
第三代半導(dǎo)體SiC動態(tài)涌現(xiàn)!;近日,化合物半導(dǎo)體動態(tài)頻頻,國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》正式對外發(fā)布,并將于今年年末開始實施。另外晶升股份研發(fā)出液相法碳化硅晶體生長設(shè)備,多家碳化硅......
晶格領(lǐng)域獲得投資,加速推進液相法SiC襯底研發(fā)和生產(chǎn)(2024-12-17)
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資料顯示,晶格領(lǐng)域是集碳化硅(SiC)襯底研發(fā)、生產(chǎn)及銷售于一體的創(chuàng)新型高技術(shù)企業(yè),具有自主知識產(chǎn)權(quán)的液相法碳化硅單晶生長技術(shù),能有效提高晶體質(zhì)量,降低生產(chǎn)成本,并能制備出高質(zhì)量4H-p型碳化硅和3C......
天岳先進官宣:液相法P型碳化硅襯底成功交付(2024-11-07)
布了全球首個8英寸碳化硅晶體,并于2024年推出了采用液相法制備的4度偏角P型碳化硅襯底。
據(jù)悉,液相法具有生長高品質(zhì)晶體的優(yōu)勢,在長晶原理上決定了可以生長超高品質(zhì)的碳化硅晶體。天岳先進目前在液相法領(lǐng)域獲得了低貫穿位錯和零層錯的碳化硅晶體......
從基礎(chǔ)到應(yīng)用碳化硅晶體研制獲突破(2023-01-29 10:07)
,研制情況如何?在物理研究所的先進材料與結(jié)構(gòu)分析實驗室,陳小龍和同事們正在對剛剛生長出來的碳化硅晶體進行分析研究。與傳統(tǒng)的氣相法不同,這個4英寸的碳化硅晶體采用的是最新的液相法生長而成。中科......
國產(chǎn)“芯”,遍地開花(2024-12-04)
光伏與半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域全產(chǎn)業(yè)鏈。在半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域,此前10月底,連科半導(dǎo)體的液相法碳化硅(感應(yīng))加熱長晶爐及液相法碳化硅電阻加熱長晶爐已在客戶現(xiàn)場完成驗收。液相法技術(shù)在細(xì)分領(lǐng)域的優(yōu)勢逐步凸顯,尤其適用于生長P型碳化硅襯底,可實現(xiàn)生長......
碳化硅襯底又傳新動態(tài)!涉及晶盛機電/天岳先進(2023-12-06)
推進第三代半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化進程。
自2017年,晶盛機電開始碳化硅晶體生長設(shè)備和工藝的研發(fā),通過研發(fā)團隊的技術(shù)攻關(guān),公司于2018年成功研發(fā)出6英寸碳化硅晶體生長爐,于2020年建......
國內(nèi)6英寸、8英寸碳化硅襯底片迎來新進展(2023-11-07)
,此次簽約項目總投資達21.2億元。據(jù)晶盛機電介紹,公司自2017年開始碳化硅晶體生長設(shè)備和工藝研發(fā),相繼成功開發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片,是國內(nèi)為數(shù)不多能供應(yīng)8英寸襯底片的企業(yè)。目前,公司......
SiC融資火熱!今年以來超20家獲融資,金額超23億(2023-03-20)
拓展及產(chǎn)品量產(chǎn)等后續(xù)發(fā)展。
該公司基于自主長期積累的熱場設(shè)計、活性助溶體系、晶體穩(wěn)定生長等核心技術(shù),致力于液相法碳化硅晶體生長工藝的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,實現(xiàn)高品質(zhì)、低成本碳化硅襯底的規(guī)模化生產(chǎn)。
愛仕特
1月11日,愛仕......
SiC融資火熱!今年以來超20家獲融資,金額超23億(2023-03-20)
長晶工藝研發(fā)、市場拓展及產(chǎn)品量產(chǎn)等后續(xù)發(fā)展。
該公司基于自主長期積累的熱場設(shè)計、活性助溶體系、晶體穩(wěn)定生長等核心技術(shù),致力于液相法碳化硅晶體生長工藝的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,實現(xiàn)高品質(zhì)、低成本碳化硅......
8英寸碳化硅時代呼嘯而來!(2024-09-09)
熱場旋轉(zhuǎn)及熱場工藝穩(wěn)定性設(shè)計,確保晶體生長過程中的溫度均勻性和穩(wěn)定性,目標(biāo)為新能源汽車、5G通訊等新興產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展提供材料基礎(chǔ)。
天岳先進8英寸碳化硅襯底批量銷售
近日,天岳先進披露了今年上半年財報,公司......
半導(dǎo)體設(shè)備廠商晶升裝備成功登陸科創(chuàng)板(2023-04-24)
備能夠穩(wěn)定產(chǎn)出適合于MOSFET用的大尺寸碳化硅晶錠。
3、溫度梯度可控單晶爐加熱及控制系統(tǒng):針對當(dāng)前PVT法溫度梯度可控性差的問題,進一步開發(fā)包括電阻式加熱、液相法等其他碳化硅長晶技術(shù),實現(xiàn)......
國際著名半導(dǎo)體公司英飛凌簽約國產(chǎn)碳化硅材料供應(yīng)商(2023-05-03)
器件廠商與材料廠簽訂長約,一直是普遍的做法,英飛凌鎖定天科合達的部分產(chǎn)能,即有利于推動天科合達技術(shù)進步,也鞏固了的供應(yīng)鏈系統(tǒng),是一個雙贏的選擇。
另外,中科院物理所陳小龍教授還稱,目前物理所研發(fā)團隊還關(guān)注碳化硅液相法晶體生長......
第三代半導(dǎo)體企業(yè)大豐收:三安斬獲38億大單;華潤微擬擴產(chǎn)(2022-11-08)
研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的企業(yè),擁有熱場設(shè)計、活性助溶體系、晶體穩(wěn)定生長等核心技術(shù),已突破大尺寸液相法碳化硅長晶技術(shù)。
據(jù)悉,新潔能6英寸產(chǎn)品預(yù)計于2023年下半年(6-9 月)向客戶送樣,已與......
8英寸時代:國產(chǎn)碳化硅襯底如何升級?(2023-10-27)
出厚度達27毫米的8英寸n型碳化硅單晶錠。據(jù)悉,其8英寸碳化硅晶體生長技術(shù)于2023年四季度轉(zhuǎn)入蕭山研發(fā)中心進行中試。
9月下旬,乾晶半導(dǎo)體與譜析光晶、綠能芯創(chuàng)簽訂三方戰(zhàn)略合作協(xié)議。三方約定緊密配合、共同......
SiC供需缺口較大,天岳先進:已與英飛凌、博世集團等加強合作(2023-07-05)
持續(xù)加大研發(fā)力度,在晶體生長和缺陷控制等核心技術(shù)領(lǐng)域展開密集的試驗,不斷突破技術(shù)瓶頸,提高產(chǎn)品良率。?
天岳先進通過液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體,通過熱場、溶液設(shè)計和工藝創(chuàng)新突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長......
第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用(2023-09-19)
應(yīng)用”等環(huán)節(jié)。
4.1碳化硅高純粉料
碳化硅高純粉料是采用PVT法生長碳化硅單晶的原料,其產(chǎn)品純度直接影響碳化硅單晶的生長質(zhì)量以及電學(xué)性能。
碳化硅粉料有多種合成方式,主要有固相法、液相法和氣相法3......
業(yè)界首款300mm碳化硅襯底問世(2024-11-14)
單晶爐,解決了碳化硅“盲盒生長”的瓶頸,實現(xiàn)了晶體生長過程的可視化和可監(jiān)測。晶升股份的8英寸碳化硅長晶設(shè)備已完成驗證,并開啟了批量交付進程。該公司正在積極布局碳化硅外延和切割設(shè)備的開發(fā)工作,以進......
全自動金剛石生長爐研發(fā)成功,晶盛機電破解“終極半導(dǎo)體”材料(2022-03-08)
機電順應(yīng)行業(yè)發(fā)展趨勢,提早布局碳化硅晶片市場。目前,該公司碳化硅外延設(shè)備已通過客戶驗證,同時在6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)建立測試線,其6英寸碳化硅晶片已獲得客戶驗證。
晶盛......
臺灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長!(2023-03-08)
臺灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長!;今日,據(jù)臺媒報道,臺灣中山大學(xué)晶體研究中心已成功長出6英寸導(dǎo)電型4H碳化硅單晶,中心厚度為19mm,邊緣約為14mm,生長速度達到370um/hr,晶體生長......
成本可降低10%,日本推碳化硅襯底新技術(shù)(2024-07-01)
硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液(液相法)來制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(升華法)的傳統(tǒng)技術(shù)相比,液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上......
打造首款國產(chǎn)碳化硅生產(chǎn)設(shè)備, 德國PVA TePla集團助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)發(fā)展(2024-03-22 15:23)
再次亮相,并向行業(yè)展示其最新打造的國產(chǎn)碳化硅晶體生長設(shè)備“SiCN”。該設(shè)備專為中國市場定制,并結(jié)合半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)特點,將德國的設(shè)計經(jīng)驗和理念與中國本土化生產(chǎn)配套能力優(yōu)勢聯(lián)合,采用PVT法(物理......
碳化硅相關(guān)技術(shù)實現(xiàn)新突破(2024-08-22)
對淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)頂角區(qū)域處的柵氧化層的保護,增加淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)頂角區(qū)域處的柵氧化層工藝厚度,最終優(yōu)化TDDB的可靠性,使得MOSFET器件擁有更高的擊穿電壓以及更長的可靠性壽命。
北方華創(chuàng)“碳化硅晶體生長裝置”專利公布
天眼......
SiC邁入8英寸時代,國際大廠量產(chǎn)前夕,國內(nèi)廠商風(fēng)口狂追(2024-04-08)
關(guān)領(lǐng)域發(fā)表高水平文章及期刊百余篇。
科友半導(dǎo)體表示,通過與俄羅斯N公司的合作,他們將研發(fā)獲得“無微管,低位錯”完美籽晶,應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進行晶體生長,會進一步大幅降低8英寸碳化硅晶體內(nèi)部的微管、位錯等缺陷密度,從而提高晶體生長......
科友半導(dǎo)體開展“完美八英寸碳化硅籽晶”項目(2024-04-03)
關(guān)領(lǐng)域發(fā)表高水平文章及期刊百余篇。
科友半導(dǎo)體表示,通過與俄羅斯N公司的合作,科友半導(dǎo)體將研發(fā)獲得“無微管,低位錯”完美籽晶,應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進行晶體生長,會進一步大幅降低八英寸碳化硅晶體內(nèi)部的微管、位錯等缺陷密度,從而提高晶體生長......
晶盛機電:已成功生長出8英寸碳化硅晶體(2022-09-02)
晶盛機電:已成功生長出8英寸碳化硅晶體;近日,晶盛機電在接受機構(gòu)調(diào)研時表示,目前公司已成功生長出8英寸碳化硅晶體,并建設(shè)了6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線,實驗......
建筑面積約1.4萬平方米。項目致力于打造一個引領(lǐng)發(fā)展、彰顯特色的中國總部;一個技術(shù)、資金、創(chuàng)新資源集聚的中國市場總部。
漢虹二期建設(shè)工程項目,將為碳化硅晶體生長及切磨拋設(shè)備的制造、車載......
德國PVA TePla發(fā)布為中國定制的首款碳化硅生產(chǎn)設(shè)備“SiCN”;近日,在國際盛會SEMICON China 2024上,全球高端半導(dǎo)體設(shè)備制造商德國PVA TePla集團亮相,并向行業(yè)展示了其為中國市場定制化的碳化硅晶體生長......
科友半導(dǎo)體開展“完美八英寸碳化硅籽晶”項目(2024-04-08)
缺陷密度控制有著豐富的研究經(jīng)驗,在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表高水平文章及期刊百余篇。
簽約現(xiàn)場合影
通過與俄羅斯N公司的合作,科友半導(dǎo)體將研發(fā)獲得“無微管,低位錯”完美籽晶,應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進行晶體生長,會進一步大幅降低八英寸碳化硅晶體......
碳化硅技術(shù)再突破 爍科晶體、晶盛機電、露笑科技迎新進展(2022-03-04)
國內(nèi)率先完成4、6、8英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底技術(shù)攻關(guān)。
晶盛機電6英寸碳化硅晶片已獲得客戶驗證
晶盛機電近期在投資者關(guān)系活動記錄表中披露,公司已組建一條從原料合成-晶體生長-切磨......
,建設(shè)400臺套完整的碳化硅晶體生產(chǎn)線。屆時,4-8英寸碳化硅晶片的年產(chǎn)能將達到12萬片。
此前,清河經(jīng)濟開發(fā)區(qū)2021年消息顯示,天達晶陽公司投資建設(shè)的碳化硅單晶體項目,分兩期建設(shè)。其中,第一......
科友半導(dǎo)體碳化硅晶體厚度突破80mm(2024-05-31)
科友半導(dǎo)體碳化硅晶體厚度突破80mm;5月29日,科友半導(dǎo)體碳化硅晶體生長車間傳來捷報,自主研發(fā)的電阻長晶爐再次實現(xiàn)突破,成功制備出多顆中心厚度超過80mm,薄點厚度超過60mm的導(dǎo)電型6英寸碳化硅......
13.5億元微芯長江半導(dǎo)體項目預(yù)計今年6月份生產(chǎn)(2022-04-28)
銅陵經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)消息,安徽微芯長江項目是FerroTec集團在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的全新布局,項目占地100畝,新建碳化硅晶體生長車間、碳化硅晶圓片加工車間、研發(fā)中心等。項目建成達產(chǎn)后,預(yù)計年產(chǎn)碳化硅晶......
車規(guī)碳化硅功率模塊 - 襯底和外延篇(2023-01-10)
粉到襯底的生產(chǎn)流程簡圖
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圖二 碳化硅襯底生產(chǎn)流程圖
目前比較成熟的碳化硅晶體生長方法主要是PVT和CVD兩種,它們都屬于氣象生長(vapor phase growth),而碳化硅型體主要是4H和6H兩種......
科友半導(dǎo)體6/8英寸碳化硅規(guī)模化生產(chǎn)取得重大技術(shù)突破(2023-05-15)
產(chǎn)業(yè)化制備系列技術(shù),并實現(xiàn)了6英寸碳化硅單晶襯底的規(guī)模生產(chǎn)和批量供貨,8英寸碳化硅單晶襯底的小批量生產(chǎn)及供貨,向碳化硅晶體生長企業(yè)提供涵蓋設(shè)備、材料......
車規(guī)碳化硅功率模塊——襯底和外延篇(2023-01-10)
襯底生產(chǎn)流程圖
目前比較成熟的碳化硅晶體生長方法主要是PVT和CVD兩種,它們都屬于氣象生長(vapor phase growth),而碳化硅型體主要是4H和6H兩種。
圖三 碳化硅晶體生長方式
首先我們來看看晶體的生長......
南砂晶圓:補齊廣東碳化硅晶片產(chǎn)業(yè)鏈襯底關(guān)鍵一環(huán)(2022-12-19)
器件的成本中,襯底、外延、模塊分別占比46%、23%、20%,晶體生長及襯底加工環(huán)節(jié)占據(jù)了接近一半。王垚浩介紹,目前產(chǎn)品成本控制和產(chǎn)能擴大的制約主要在于人才短缺。碳化硅晶片雖然在襯底、外延片、封測......
賓夕法尼亞州立大學(xué)與安森美簽署諒解備忘錄以推動碳化硅研究(2023-05-17)
法尼亞州立大學(xué)則擁有世界一流的納米制造廠和表征設(shè)施,可用于支持對半導(dǎo)體及其他技術(shù)中使用的薄膜、碳化硅和其他材料進行研究。安森美與賓夕法尼亞州立大學(xué)之間的這些互補能力將為研發(fā)帶來重大幫助。”
賓夕法尼亞州立大學(xué)有著出色的科研能力,是安森美推進硅晶體生長......
科友半導(dǎo)體產(chǎn)出直徑超過8英寸碳化硅單晶(2022-12-29)
表面光滑無缺陷,最大直徑超過204mm。
這是科友半導(dǎo)體于今年十月在六吋碳化硅晶體厚度上實現(xiàn)40mm突破后,在碳化硅晶體生長尺寸上取得的又一次極具歷史意義的重大突破。
在碳化硅......
晶盛機電宣布成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體(2022-08-16)
研發(fā)上取得的重大突破。不但成功解決了8英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題,同時還破解了碳化硅器件成本中襯底占比過高的難題,為大尺寸碳化硅襯底廣泛應(yīng)用打下基礎(chǔ)。?
資料......
良率超 50%,全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC(2023-10-27)
蘭表示客戶都希望環(huán)球晶圓教書從 6 英寸到 8 英寸 SiC 量產(chǎn)的過渡,主要客戶來自汽車領(lǐng)域。
環(huán)球晶圓設(shè)計并開發(fā)了專門的碳化硅晶體生長爐(Crystal Growth Furnace),增強了材料質(zhì)量控制并降低了晶體生長......
意法半導(dǎo)體與吉利汽車簽署SiC長期供應(yīng)協(xié)議(2024-06-04)
企業(yè)展開一系列合作。此外,從國內(nèi)碳化硅研發(fā)動態(tài)來看,晶升股份已成功研發(fā)出液相法SiC晶體生長設(shè)備并提供給了多家客戶,將會繼續(xù)配合客戶不斷進行設(shè)備的優(yōu)化和改進工作;科友......
意法半導(dǎo)體與吉利汽車簽署SiC長期供應(yīng)協(xié)議(2024-06-05)
晶體生長設(shè)備并提供給了多家客戶,將會繼續(xù)配合客戶不斷進行設(shè)備的優(yōu)化和改進工作;科友半導(dǎo)體自主研發(fā)的電阻長晶爐再次實現(xiàn)突破,成功制備出多顆中心厚度超過80mm,薄點厚度超過60mm的導(dǎo)電型6英寸碳化硅......
總投資50億元,晶盛機電碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目落戶銀川(2022-02-28)
機電近期在投資者關(guān)系活動記錄表中披露,公司已組建一條從原料合成-晶體生長-切磨拋加工的中試產(chǎn)線,6英寸碳化硅晶片已獲得客戶驗證。截至2022年2月7日,客戶A已與公司形成采購意向,2022年-2025年公司將優(yōu)先向其提供碳化硅......
安徽微芯長江半導(dǎo)體項目建設(shè)工程竣工 深入布局碳化硅領(lǐng)域(2021-11-29)
圓片項目建設(shè)工程竣工儀式。
據(jù)悉,該項目是FerroTec集團在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的全新布局,項目總投資13.5億元,占地100畝,新建碳化硅晶體生長車間、碳化硅晶圓片加工車間、研發(fā)中心等。項目建成達產(chǎn)后,預(yù)計年產(chǎn)碳化硅晶......
科友半導(dǎo)體拿下超2億元歐洲SiC長訂單(2024-03-21)
產(chǎn)業(yè)化制備系列技術(shù),并實現(xiàn)了6英寸碳化硅單晶襯底的規(guī)模生產(chǎn)和批量供貨,8英寸碳化硅單晶襯底的小批量生產(chǎn)及供貨,向碳化硅晶體生長企業(yè)提供涵蓋設(shè)備、材料及技術(shù)服務(wù)等全產(chǎn)業(yè)鏈的解決方案。
2023年9月,科友......
SEMICON2024收官,第三代半導(dǎo)體賽道競爭激烈!(2024-03-25)
TePla 向業(yè)界展示了多款前沿技術(shù)產(chǎn)品并帶來了為中國市場定制的碳化硅晶體生長設(shè)備“SICN”,其采用的是物理氣象傳輸工藝PVT法生產(chǎn)碳化硅晶體,預(yù)計計劃今年二季度投入市場。
PVA......
SEMICON2024收官,第三代半導(dǎo)體賽道競爭激烈!(2024-03-26)
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德國PVA TePla
德國 PVA TePla是全球碳化硅設(shè)備行業(yè)隱形冠軍,其主要產(chǎn)品是大尺寸硅晶體以及6寸、8寸碳化硅晶體材料生長設(shè)備,在本次展會中德國 PVA TePla 向業(yè)界展示了多款前沿技術(shù)產(chǎn)品并帶來了為中國市場定制的碳化硅晶體生長......
表面光滑無缺陷,最大直徑超過204mm。這是科友半導(dǎo)體繼去年10月在6英寸碳化硅晶體厚度上實現(xiàn)40mm突破后,在碳化硅晶體生長尺寸和襯底尺寸上取得的又一次極具歷史意義的重大突破。
哈爾......
8英寸碳化硅時代鐘聲漸近,國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域再添喜訊(2022-08-17)
研發(fā)上取得的重大突破。
這不但成功解決了8英寸SiC晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題,同時還破解了SiC器件成本中襯底占比過高的難題,為大尺寸SiC襯底廣泛應(yīng)用打下基礎(chǔ)。
8英寸碳化硅......
相關(guān)企業(yè)
;山東天岳先進材料科技有限公司;;山東天岳先進材料科技有限公司是專業(yè)從事藍寶石和碳化硅單晶生長加工的高新技術(shù)企業(yè)。公司的主要產(chǎn)品有2-6英寸藍寶石和2-4英寸碳化硅單晶襯底,其產(chǎn)
;浙江宏業(yè)新能源有限公司;;浙江宏業(yè)新能源有限公司是晶體生長設(shè)備、硅晶體、太陽能組件等產(chǎn)品專業(yè)生產(chǎn)加工的私營有限責(zé)任公司,公司總部設(shè)在浙江省臺州市溫嶺市新河鎮(zhèn)機械工業(yè)園區(qū),浙江
、SR92、SR93、SR94、SR23,程序調(diào)節(jié)器MR13(三 回路)、FP93、FP23(單雙回路)等。適用在半導(dǎo)體制造,各種工業(yè)電爐、真空爐,塑料加工設(shè)備等行業(yè)廣泛應(yīng)用。晶體生長設(shè)備:晶體生長
;山東晶藝光電器材有限公司;;本公司專業(yè)培育高質(zhì)量、大口徑磷酸二氘鉀(DKDP或KD*P)電光晶體。晶體生長培育系統(tǒng)工藝新穎,晶體產(chǎn)量穩(wěn)定,產(chǎn)品質(zhì)量受到歐、美國家客戶好評。KD*P晶體
路)、FP93、FP23(單雙回路)溫控儀 島通SHIMAX溫控儀表:MAC3系列,MAC50系列等 相調(diào)壓調(diào)功器:TAC16P、TAC03i、TAC60i、TAC35P 晶體生長設(shè)備:晶體生長
;唐山德意陶瓷制造有限公司;;唐山恒通碳化硅有限公司(唐山德意陶瓷制造有限公司)成立于 2000 年 10 月 1 日,位于唐山市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)。公司是由多名青年科技專家投資興建,集科
;江蘇環(huán)能硅碳陶瓷有限公司;;泰州市環(huán)能硅碳棒制造有限公司是一家專業(yè)生產(chǎn)碳化硅制品企業(yè),公司致力于研發(fā)高性能硅碳棒及碳化硅陶瓷,并與高等科研所合作開發(fā)新型高溫電熱元件,是一
;淄博興德碳化硅有限公司;;本公司目前致力于開發(fā)|磁性材料爐用推板 碳化硅莫來石結(jié)合新型耐火材料
;上海爍虹晶體科技有限公司;;上海爍虹晶體科技有限公司是一家專業(yè)從事鹵化物晶體研發(fā)生產(chǎn)的公司,公司成立于2006年,公司技術(shù)實力雄厚,由有數(shù)十年鹵化物晶體研究經(jīng)驗的知名專家領(lǐng)銜,傾力開發(fā)出來了一套可動態(tài)除氧的鹵化物晶體生長
;棗莊市鑫陽磨料磨具有限責(zé)任公司;;碳化硅 棗莊市鑫陽磨料磨具有限責(zé)任公司 地址:山東省滕州市經(jīng)濟工業(yè)園區(qū) 電話:0632-5883388 5883366 傳真:0632-5883366 電子