隨著人工智能、大數據、云計算等新興技術的快速發展，存儲行業對高性能和大容量存儲的需求不斷增長。全球五大存儲廠商——三星、SK海力士、美光、鎧俠和西部數據紛紛加大技術創新和市場布局力度，以滿足市場需求。近期，這些廠商發布了最新財報，披露了其在優化產品結構、拓展高附加值領域以及調整市場策略方面的最新進展。

三星電子：存儲業務創歷史新高，高附加值產品引領增長

三星電子全年收入達300.9萬億韓元（約2055.15億美元），同比去年增長了16%，歸母凈利潤則飆升至33.6萬億韓元（約229.49億美元），同比激增130%。這一增長主要得益于其在存儲業務領域的強勁表現。

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在2024年第四季度（10-12月），三星電子營收為75.8萬億韓元(約合522.5億美元)，環比減少4%，同比增長12%；經營利潤6.5萬億韓元(約合44.8億美元)，環比減少29%，同比增長132%；凈利潤7.8萬億韓元(約合53.8億美元)，環比減少23%，同比增長24%。

存儲業務方面，第四季度營收達到23萬億韓元（約合158.5億美元），環比增長3%，同比增長46%，創歷史新高。這一增長主要得益于高帶寬內存（HBM）和高密度DDR5服務器內存的銷量增加，以及DRAM平均售價的上漲。然而，存儲業務所在的DS部門第四季度經營利潤為2.9萬億韓元（約合20億美元），環比減少26%，但同比增長232%。經營利潤下滑主要是由于增加的研發費用和尖端節點生產能力的初期爬坡成本。

總體而言，三星電子為提升整體利潤水平，將更關注于未來高附加值產品的需求，擴大更先進節點的生產能力，在這種情況下，三星電子主要擴大了以HBM和高密度DDR5服務器為中心的銷售。在減少傳統工藝產品的生產下，令2025年DRAM和NAND的bit output受到嚴重限制。

分具體產品看，在第四季度，DRAM bit出貨量環比下降約13-15%，DRAM平均售價環比增長約20%。對于NAND閃存，由于移動和PC應用需求疲軟，疊加高價服務器SSD需求延遲，這導致NAND平均售價四季度環比下降中個位數百分比，NAND bit出貨量環比下降低個位數百分比。總體而言，高附加值產品在總銷售額中的占比增加，HBM銷售額增長1.9倍（略低于初步預測），128GB或更高容量DDR5模組銷售額增長2.5倍。

從整體資本支出來看，2024年全年資本支出為53.6萬億韓元，芯片資本支出達46.3萬億韓元，為存儲技術研發、產能提升以及存儲設計更新提供了有力保障。這也使得三星在傳統存儲產品穩固優勢的同時，能夠在新興存儲技術領域不斷探索，維持在全球存儲市場的領先地位。

美光科技：AI驅動數據中心業務爆發，資本支出聚焦先進節點

美光科技在2025財年第一季度（截至2024年11月28日）取得了強勁的財務表現，實現營收87.1億美元，較上一季度增長12.4%，較去年同期增長84.2%。Non-GAAP下，營業利潤達到23.94億美元，營業利潤率從上季度的22.5%提升至27.5%；凈利潤為20.4億美元，較上季度增長52%，并實現了同比扭虧為盈。

該季度，美光的數據中心業務收入同比增長超過400%，環比增長40%，首次超過總收入的50%，推動整體業績增長。

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在業務細分方面，DRAM業務收入為64億美元，占總收入的73%，環比增長20%；NAND業務收入為22.41億美元，占總收入的26%，環比減少5%。各事業部中，Compute and Networking（CNBU）營收44億美元，環比增長46%，創下新季度紀錄；Mobile（MBU）營收15億美元，環比下降19%；Storage（SBU）營收17億美元，環比增長3%；Embedded（EBU）營收11億美元，環比下降10%。

展望未來，美光預計2025財年第二財季營收將達到79±2億美元，毛利率預計為38.5%±1.0%。公司計劃在2025財年投入約135-145億美元的資本支出，主要用于支持HBM和長期DRAM需求。美光將繼續優先投資1β和1γ技術節點，以及DRAM晶圓廠建設，并在新加坡擴大制造計劃，包括新的HBM先進封裝設施，以滿足人工智能驅動的需求。

另外值得注意的是，美光已經削減了NAND資本支出，并且正在謹慎管理NAND技術節點的升級節奏，以控制其供應。另外，美光預計2025財年DRAM前端成本降低（不包括HBM）將在中至高個位數百分比范圍內，NAND前端成本降低將在15%以下。

SK海力士：HBM與eSSD推動業績增長，傳統內存市場面臨調整

2024年，SK海力士取得歷史性突破，全年營收達66.19萬億韓元（約48.81億美元），同比增長102%；營業利潤為23.46萬億韓元（約17.30億美元），凈利潤為19.8萬億韓元（約14.59億美元），均創下歷史新高。

第四季度，SK海力士營收為19.77萬億韓元（約14.57億美元），同比增長74.8%，環比增長12%；營業利潤為8.08萬億韓元（約5.96億美元），同比增長2235.8%，營業利潤率達41%；凈利潤為8萬億韓元（約5.83億美元），同比增長約24%，凈利潤率同樣達到41%。

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在其主要營收細分中，HBM銷售額已占DRAM總銷售額的40%以上，成為推動公司業績增長的主要動力。SK海力士預計2025年HBM銷售額將翻倍；此外在企業級固態硬盤方面，2024年eSSD銷售額較去年增長超過300%，特別是在基于QLC的大容量SSD產品開發方面取得了顯著進展。

盡管HBM和eSSD等高附加值產品表現強勁，但傳統內存市場如PC和智能手機領域的需求卻在下滑。SK海力士預計2025年將減少DDR4和LPDDR4等傳統芯片的產量，以專注于高價值產品。

2024年SK海力士的資本支出主要用于支持HBM和高密度服務器DRAM的生產。公司計劃在2025年繼續增加HBM3E的供應量，并適時開發出HBM4。另外，其清州M15X晶圓廠計劃于2025年第四季度投產，龍仁首座晶圓廠將于2025年開建，并計劃于2027年第二季度投產。

西部數據：計劃在2025財年逐步減少NAND市場供應

西部數據在2025財年第二財季（2024年10-12月）季度營收達到42.85億美元，環比增長5%，同比增長41%。凈利潤為6.47億美元，環比微幅減少0.15%，但同比實現了扭虧為盈。

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細分產品來看，其HDD營收為24.09億美元，環比增長9%，同比增長76%。HDD產品毛利率由上季度38.1%進一步提升至38.6%，出貨量環比增長7%，平均單價環比由上季度的164美元上升至172美元。

其閃存產品營收為18.76億美元，環比下滑0.42%，但同比增長12.7%。Flash產品毛利率下降至32.5%，上季度為38.9%。按同類產品比較，閃存平均售價下降了13%，按混合基礎算則下降了10%。NAND Bit出貨量環比增長9%，同比下降2%。

消費者業務營收為8億美元，占總收入的18%，環比增長14%，同比下降8%。環比增長主要得益于閃存和HDD位出貨量的增加，而同比下降則是由于閃存和HDD出貨量下降以及閃存定價的影響。

西部數據表示，在該財季已順利完成分拆所需的必要關鍵融資活動，目前處于閃存業務和HDD業務分拆的最后階段，將按計劃于第三財季（2025年1-3月）末結束。分拆完成后，西部數據的閃存部門將重新成為獨立的閃迪（Sandisk）企業，David Goeckeler將轉任閃迪首席執行官；機械硬盤部門則將繼續以西部數據（Western Digital）的名稱存在，公司CEO將由現任全球運營執行副總裁Irving Tan出任。

西部數據預計2025年NAND市場將持續面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。因此，公司計劃將產量減少約15%，以穩定市場價格和提升產品競爭力。該公司預計第二財季（10-12月）受益于eSSD產品的增長和消費者季節性需求驅動，整體Flash Bit出貨量增長至中等個位數百分比。

鎧俠：拓展數據中心與企業級SSD市場

鎧俠在2024財年表現出色，第一季度實現營收4285億日元（約28.42億美元），同比增長70.65%，環比增長33.03%。第二季度營收進一步增長至4809億日元（約31.90億美元），環比增長12.22%，幾乎是前一財年同期的兩倍。營業利潤和凈利潤也顯著提升，第二季度營業利潤為1660億日元（約11.01億美元），環比增長31.9%；凈利潤為1062億日元（約7.05億美元），環比增長52%。

圖片來源：鎧俠官網

細分來看，鎧俠第二季度NAND閃存位元出貨量環比增長約10%，平均售價環比增長約5%。鎧俠表示，得益于客戶庫存正常化和需求復蘇，NAND閃存的供需失衡已得到糾正。

鎧俠預估2024財年銷售額可達1.6萬億日元，創下歷史新高。公司將繼續優化生產和運營成本，以應對市場變化，確保盈利與公司競爭力。
目前，鎧俠已經開始大規模量產采用QLC技術的UFS4.0嵌入式產品，并推出了符合PCIe?5.0標準的NVMe EDSFF E1.S SSD。此外，鎧俠還展示了其在數據中心和企業級SSD領域的實力。

存儲市場新興應用驅動創新與產業升級

當代AI、大數據、云計算等新興應用領域對存儲性能和容量提出了更高要求，成為存儲市場增長的重要驅動力。HBM、高性能SSD等產品需求激增，推動了存儲技術的創新和產業升級。然而，智能手機、筆電等消費電子終端市場復蘇遲緩，持續影響著存儲市場的整體需求。

未來，隨著5G技術在消費電子領域的進一步普及以及新興技術應用場景的不斷拓展，存儲市場有望迎來新的發展機遇，但傳統市場的復蘇仍需時間和新的市場刺激因素。近期多家廠商也公布了最新的技術進展，以適配市場與日俱增的需求。

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鎧俠宣布開源AiSAQ技術，可降低生成式AI系統中的DRAM需求

鎧俠宣布開源其全新全存儲ANNS產品量化（AiSAQ）技術，這是一種針對SSD優化的新型“近似最近鄰”搜索（ANNS）算法。該技術為檢索增強生成（RAG）提供了可擴展的性能，無需將索引數據放置在DRAM中，而是直接在SSD上進行搜索。這不僅減少了對昂貴DRAM的依賴，還滿足了高性能需求，顯著提升了大規模RAG應用的性能范圍。

鎧俠的AiSAQ技術為十億級數據集提供了可擴展且高效的ANNS解決方案，具有極低的內存使用量和快速的索引切換功能。其主要優勢包括允許大型數據庫在不依賴有限DRAM資源的情況下運行，從而增強RAG系統的性能；無需將索引數據加載到DRAM中，矢量數據庫可即時啟動，支持在同一臺服務器上無縫切換用戶專用或應用專用數據庫，實現高效的RAG服務交付。

此外，該技術通過將索引存儲在分布式存儲中以實現多服務器共享，針對云系統進行了優化，可針對特定用戶或應用程序動態調整矢量數據庫搜索性能，并促進搜索實例在物理服務器之間的快速遷移。

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三星存儲設計更新

三星電子正在對其12納米級動態隨機存取存儲器（DRAM）“D1b”進行重要設計改進。這一改進在半導體產業中引起了廣泛關注，特別是考慮到“D1b”自2023年首次量產以來，已經在顯卡和手機等多個領域廣泛應用。三星電子已經在根據新的“D1b”設計修改生產工藝，并在2024年底下達了緊急設備訂單，升級了現有生產線，并進行了技術轉移。新款“D1b”預計最快將在2025年第二季度或第三季度發布。

此外，三星電子的第五代高帶寬存儲芯片（HBM3E）即將成為英偉達的重要技術支援，行業消息稱，三星電子的這款8層HBM3E存儲芯片已在2024年12月獲得英偉達的批準，目前三星對此消息還未回應。

據悉，HBM3E存儲芯片采用了先進的堆疊技術，能夠在更小的體積內提供更大的內存容量和更高的傳輸速度，非常適合用于訓練復雜的深度學習模型。三星計劃在2025年第二季度量產HBM3E 12H產品。HBM3E 12H相比前代產品有了顯著的提升，據三星官方介紹，該芯片在大數據處理上將帶來34%的效率提升，同時客戶規模也能因性能增強提升超過11.5倍。

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西部數據開發高性能存儲產品

西部數據正在開發針對人工智能訓練和推理需求的高性能PCIe 5.0數據中心企業級SSD。其中，Ultrastar DC SN861 SSD是西部數據首款企業級PCIe Gen 5.0解決方案，具備優異的隨機讀取性能和能耗效率，容量高達16TB。該產品隨機讀取性能相比上一代產品提升約3倍，超低的延遲和快速響應速度使其特別適用于大語言模型（LLM）的訓練、推理和人工智能服務部署。

此外，西部數據的30TB和60TB高容量產品正在超大規模廠商認證中，并取得了重大進展。這些產品的開發和認證進展表明，西部數據正在積極滿足數據中心和企業級市場對高性能、高容量存儲解決方案的需求。

封面圖片來源：拍信網