AI時代對高性能、大容量存儲技術(shù)提出了更高要求，為此，原廠積極推動下一代存儲器技術(shù)研發(fā)。

最新消息顯示，三星計劃本月下旬在“NRD-K”項目上引進(jìn)設(shè)備，以加速包括1d DRAM和V11、V12 NAND在內(nèi)的下一代存儲技術(shù)發(fā)展。

據(jù)悉，NRD-K項目是三星電子建設(shè)的下一代半導(dǎo)體研發(fā)綜合體，尖端半導(dǎo)體工藝的研究、生產(chǎn)和分銷均在此進(jìn)行。尖端技術(shù)方面，三星1d DRAM將采用新型結(jié)構(gòu)設(shè)計和封裝技術(shù)，使其在性能和能耗上獲得了顯著提升；V11和V12 NAND則將在存儲密度和能效比方面帶來了新的突破，以上三項技術(shù)均適用于數(shù)據(jù)中心以及高性能計算等領(lǐng)域。

當(dāng)前DRAM先進(jìn)制程工藝正不斷朝10nm級別靠近，美光最新工藝為1γ DRAM，該公司已在位于日本廣島的Fab15工廠利用EUV試產(chǎn)1γ DRAM，并計劃于2025年大規(guī)模量產(chǎn)。三星最新工藝為1c DRAM，計劃于2024年年底前建成相關(guān)產(chǎn)線，2025年生產(chǎn)。1d DRAM是三星下一代DRAM技術(shù)，1d DRAM能夠支持更高的帶寬，使得數(shù)據(jù)傳輸更加高效，有助于提升整體系統(tǒng)的性能。

NAND方面，原廠注重層數(shù)突破，目前正式商用的閃存產(chǎn)品層數(shù)已經(jīng)突破200層，原廠致力于向1000層邁進(jìn)。三星在2024年開始量產(chǎn)堆疊層數(shù)達(dá)290層的第九代3D NAND技術(shù)，并在未來幾年內(nèi)進(jìn)一步提高堆疊層數(shù)和性能，其中就包括了上文提及的V11和V12 NAND。

美光在2022年成功量產(chǎn)了232層3D NAND芯片，未來還將發(fā)力更高層數(shù)。

鎧俠已經(jīng)成功實現(xiàn)了200層以上的NAND堆疊，按照其3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，鎧俠預(yù)計到2027年實現(xiàn)1000層堆疊的目標(biāo)。

會議預(yù)告

2024年11月20日（周三），MTS2025存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會將在深圳鵬瑞萊佛士酒店盛大舉行。

屆時，集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷和研究經(jīng)理敖國鋒將分別針對2025年內(nèi)閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢進(jìn)行主題演講，敬請期待！

封面圖片來源：拍信網(wǎng)