在全球新能源汽車行業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，高效、可靠的電力電子組件成為推動(dòng)行業(yè)前進(jìn)的關(guān)鍵力量。中恒微半導(dǎo)體作為行業(yè)內(nèi)的佼佼者，隆重推出 Mini Z3 封裝的車用 IGBT 模塊，采用新一代的750V 新技術(shù)車規(guī)級(jí)芯片，進(jìn)一步提升車用IGBT模塊的性能。

一、產(chǎn)品介紹

中恒微Mini Z3 封裝功率模塊優(yōu)先推出750V-650A 產(chǎn)品，采用三相六單元電路拓?fù)洌吞?hào)：6H650H08A1P。


產(chǎn)品電壓：750V
產(chǎn)品電流：650A

產(chǎn)品特點(diǎn)：

① 阻斷電壓750V
② 低飽和壓降
③ 低開關(guān)損耗
④ 低柵極電荷和反向傳輸電容
⑤ 低雜散電感設(shè)計(jì)
⑥ 短時(shí)間最高運(yùn)行溫度Tvj op = 175°C? ?

應(yīng)用方向

? 汽車應(yīng)用
? 混合動(dòng)力汽車
? 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
? 商用農(nóng)業(yè)機(jī)車

二、芯片介紹

中恒微半導(dǎo)體的新一代750V 車規(guī)級(jí) IGBT 芯片采用薄化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，帶來顯著的性能提升。

(a) 降低導(dǎo)通壓降

通過減少芯片厚度，載流子路徑長(zhǎng)度縮短，導(dǎo)通電阻降低，導(dǎo)通壓降（Vce (sat)）顯著降低約 15%，提升了器件的能效和熱性能。

(b)? 優(yōu)化抗震蕩能力

針對(duì)芯片薄化可能帶來的耐量損失和開關(guān)震蕩問題，通過深入分析芯片內(nèi)部電場(chǎng)分布和空穴密度變化，采用背面結(jié)構(gòu)方案進(jìn)行改善。在關(guān)斷測(cè)試中展現(xiàn)出更好的抗震蕩能力，有效控制高 di/dt 條件下載流子的排除速度，降低開關(guān)過程中的震蕩風(fēng)險(xiǎn)。


(c) 抑制短路柵極震蕩

新的背面結(jié)構(gòu)在短路過程中雖引起柵極波形震蕩，但通過優(yōu)化設(shè)計(jì)參數(shù)，調(diào)整注入量改變基極傳輸效率，成功抑制了短路柵極震蕩，提高了器件的可靠性和穩(wěn)定性。關(guān)斷損耗（Eoff）進(jìn)一步降低約 20%，延長(zhǎng)了器件使用壽命。


三、性能介紹

(a) 在安全工作區(qū)方面，Mini Z3 采用雙脈沖測(cè)試，可滿足兩倍額定電流（1300A）下正常關(guān)斷，雙脈沖波形無震蕩，具備高安全性。


(b) 在電性能方面，通過靜態(tài)測(cè)試和動(dòng)態(tài)測(cè)試結(jié)合評(píng)估，相較于原采用的車規(guī)級(jí)750V 芯片，在相同封裝測(cè)試條件下進(jìn)行了測(cè)試對(duì)比，開關(guān)性能均有顯著提升，開關(guān)波形光滑，沒有震蕩，安全性高。



(c) 得益于新技術(shù)芯片的低損耗特性，中恒微車規(guī)級(jí) IGBT 模塊的能效得到了顯著提升。同時(shí)，高電流密度使得功率密度更大，能夠在更小的體積內(nèi)提供更大的功率輸出。搭配中恒微成熟的車規(guī)級(jí)封裝工藝，產(chǎn)品在惡劣環(huán)境下依然能夠可靠工作。

四、工藝介紹

(a) Mini Z3在工藝上進(jìn)行了技術(shù)升級(jí)。功率端子和信號(hào)端子采用先進(jìn)的超聲焊技術(shù)，提升了焊接精度與強(qiáng)度。該技術(shù)使材料在分子層面熔合，增強(qiáng)了焊接部位的強(qiáng)度和耐久性，并降低了電阻率變化，提高了導(dǎo)電性能及可靠性。


(b) 底部散熱器采用橢圓形設(shè)計(jì)，相比傳統(tǒng)圓柱形散熱柱，提供了更大的接觸面積，熱傳導(dǎo)效率更高，溫度降低約10℃，散熱能力得到提升。此外，此設(shè)計(jì)有助于減少底部應(yīng)力集中，降低因熱膨脹導(dǎo)致的損壞風(fēng)險(xiǎn)。



車用 IGBT 模塊市場(chǎng)應(yīng)用前景廣闊，隨著新能源汽車對(duì)高性能電力電子組件的需求日益增長(zhǎng)，中恒微 Mini Z3 車用 IGBT 模塊的高效率和高可靠性將成為市場(chǎng)上的有利競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)品的未來表現(xiàn)值得期待。