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中國(guó)團(tuán)隊(duì)第三代半導(dǎo)體研發(fā)實(shí)現(xiàn)新突破
近日,松山湖材料實(shí)驗(yàn)室第三代半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)郝躍院士課題組張進(jìn)成教授、李祥東教授團(tuán)隊(duì),以及廣東致能科技有限公司聯(lián)合攻關(guān),成功基于2~6英寸AlN單晶復(fù)合襯底制備了高性能GaNHEMTs晶圓。
得益于AlN單晶復(fù)合襯底的材料優(yōu)勢(shì) (位錯(cuò)密度居于2×108 cm-2數(shù)量級(jí)),AlGaN緩沖層厚度降至350 nm,外延成本大幅下降,且有效控制晶圓翹曲。
研究發(fā)現(xiàn),AlN單晶復(fù)合襯底表面存在的Si、O雜質(zhì)會(huì)造成寄生漏電通道,使得HEMTs器件無(wú)法正常關(guān)斷。團(tuán)隊(duì)據(jù)此創(chuàng)新提出二次生長(zhǎng)AlN埋層方法覆蓋雜質(zhì)層,使其在超寬禁帶材料中無(wú)法離化,從而顯著抑制漏電。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,團(tuán)隊(duì)所提出的350 nm無(wú)摻雜超薄AlGaN緩沖層的橫向擊穿電壓輕松突破10 kV,HEMTs器件關(guān)態(tài)耐壓超8 kV,動(dòng)態(tài)電流崩塌<20%,閾值電壓漂移<10%,初步通過(guò)可靠性評(píng)估。
會(huì)議預(yù)告
2024年11月20日(周三),MTS2025存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)將在深圳鵬瑞萊佛士酒店盛大舉行。
屆時(shí),集邦咨詢資深分析師團(tuán)隊(duì)將攜手英特爾、慧榮科技、時(shí)創(chuàng)意、Solidigm、銓興科技、大普微、浪潮信息、歐康諾科技等業(yè)內(nèi)知名廠商大咖,圍繞AI時(shí)代下、晶圓代工、DRAM、NAND Flash、服務(wù)器、AI PC等話題發(fā)表演講。
封面圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)